HMC397-DIE
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HMC397-DIE

InGaP HBT ゲイン・ブロック・アンプ・チップ、DC ~ 10 GHz

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製品モデル 2
1Ku当たりの価格
価格は未定
特長
  • ゲイン: 15 dB
  • P1dB 出力電力: +15 dBm
  • ゲインが温度に対して安定
  • 50 Ω の I/O
  • 小型:
    0.38 mm×0.58 mm×0.1 mm
製品概要
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HMC397 ダイは、GaAs InGaP ベースのヘテロ接合バイポーラ・トランジスタ(HBT)ゲイン・ブロック MMIC を使用した DC ~ 10 GHz のアンプです。このアンプは、カスケード接続可能な 50 Ω のゲイン段、または出力電力が最大 +16 dBm の HMC ミキサーの LO 駆動に使用することができます。HMC397 は、15 dB のゲインと +32 dBm の出力 IP3 を実現しながら、 +5V 電源から必要とするのはわずか 56 mA です。 

ダーリントン帰還ペアを使用しているので、通常のプロセス変動の影響を受けにくく、温度に対する優れたゲイン安定性を実現するとともに、必要な外付けバイアス部品数を最小限に抑えます。HMC397 はサイズが小さい(0.22mm²)ため、マルチチップ・モジュール(MCM)に容易に組み込むことができます。全てのデータは、直径 0.025 mm(1 mil)、最短 0.5 mm(20 mil)のワイヤ・ボンドを使用し、チップを 50 Ω 試験装置に接続して得たものです。 

アプリケーション

  • マイクロ波および VSAT 無線
  • 試験装置
  • ミリタリ EW、ECM、C³I
  • 宇宙通信

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ドキュメント

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