HMC395-DIE

新規設計には非推奨

InGaP HBT ゲイン・ブロック・アンプ・チップ、DC ～ 4 GHz

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製品情報

  • ゲイン: 15 dB
  • P1dB 出力電力: +16 dBm
  • ゲインが温度に対して安定
  • 50 Ω の I/O
  • 小型:
    0.38 mm×0.58 mm×0.1 mm

HMC395 ダイは、GaAs InGaP ベースのヘテロ接合バイポーラ・トランジスタ（HBT）ゲイン・ブロック MMIC を使用した DC ～ 4 GHz のアンプです。このアンプ・ダイは、カスケード接続可能な 50 Ω のゲイン段、または出力電力が最大 +17dBm の HMC ミキサーの LO 駆動に使用することができます。HMC395 は16 dB のゲインと +31dBm の出力 IP3 を実現しますが、+5V 電源で 54mA しか必要としません。 

ダーリントン帰還ペアを使用しているので、通常のプロセス変動の影響を受けにくく、温度に対する優れたゲイン安定性を実現するとともに、必要な外付けバイアス部品数を最小限に抑えます。HMC395 はサイズが小さい（0.22mm²）ため、マルチチップ・モジュール（MCM）に容易に組み込むことができます。全てのデータは、直径 0.025 mm（1 mil）、最短 0.5 mm（20 mil）のワイヤ・ボンドを使用し、チップを 50 Ω 試験装置に接続して得たものです。 

アプリケーション

  • マイクロ波および VSAT 無線
  • 試験装置
  • ミリタリ EW、ECM、C³I
  • 宇宙通信
HMC395-DIE
InGaP HBT ゲイン・ブロック・アンプ・チップ、DC ～ 4 GHz
hmc395_fbl
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Sパラメータ 1

Keysight Genesys向けのSys-Parameterモデル

Sys-Parameterモデルは、デバイスの直線性と非直線性を明らかにするP1dB、IP3、ゲイン、ノイズ指数、リターン損失などの挙動パラメータを提供します。

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