製品概要

機能と利点

  • 高飽和出力電力(PSAT): 30 % の電力付加効率(PAE)で 36.5 dBm
  • 高出力 3 次インターセプト(IP3):44 dBm(代表値)
  • 高ゲイン: 28 dBm(代表値)
  • 高出力電力の 1 dB 圧縮ポイント(P1dB): 36 dBm(代表値)
  • 総電源電流: 2200 mA/7 V
  • 40 ピン、6 mm × 6 mm LFCSP パッケージ: 36 mm2

製品概要

HMC1121 は、3 段構成、ガリウム・ヒ素(GaAs)、擬似格子整合型高電子移動度転送(pHEMT)、モノリシック・マイクロ波集積回路(MMIC)の 4 W パワー・アンプで、温度補償されたパワー・ディテクタを内蔵し、5.5 GHz ~ 8.5 GHz で動作します。HMC1121 は、7 V 電源電圧から 30 % の PAE で 28 dB のゲイン、44 dBm の出力 IP3、36.5 dBm の飽和出力電力を提供します。  

HMC1121 は優れた直線性を示し、高容量のポイント to ポイントおよびポイント to マルチポイント無線システム向けに最適化されています。アンプの構成と高ゲインにより、このデバイスはアンテナの前の最終段の信号増幅に最適です。  

高容量のアプリケーションのサポートに最適な HMC1121 は、40 ピン LFCSP パッケージを採用しています。 

アプリケーション
  • ポイント to ポイント無線
  • ポイント to マルチポイント無線 
  • 超小型地上局(VSAT)および衛星通信(SATCOM)
  • 防衛用電子戦(EW)および電子対抗手段(ECM)

製品ライフサイクル icon-recommended 新規設計にお薦めします

発売済みの製品です。データシートには、最終的な仕様と動作条件がすべて記載されています。新規の設計には、これらの製品の使用を推奨します。

評価キット (1)

ツール

Sys-Parameters

Sys-Parameter Models for Keysight Genesys

Sys-Parameter models contain behavioral parameters, such as P1dB, IP3, gain, noise figure and return loss, which describe nonlinear and linear characteristics of a device.

S-Parameters

設計ツール

ADIsimRF

アナログ・デバイセズのADIsimRF設計ツールは、カスケード・ゲインやノイズ指数、IP3、P1dB、総合消費電力などRFシグナル・チェーン内の最も重要なパラメータの計算を行います。

設計リソース

アナログ・デバイセズでは、最高レベルの品質と信頼性を備えた製品を提供することに最大の力を常に注いでいます。これを実現するため、製品およびプロセスの設計のあらゆる観点で品質と信頼性のチェックを行っています。そして、それは、製造工程においても同様です。アナログ・デバイセズは常に、出荷製品の「ゼロ・ディフェクト」を目指しています。

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モデル一覧の項目説明

 

 

 

評価用ボード

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