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HMC1087-Die: 8 WATT GaN MMIC Power Amplifier, 2 - 20 GHz Data Sheet10/20/2015PDF607 K
製品概要
機能と利点
- 高 Psat: +39 dBm
- Psat でのパワー・ゲイン+5.5 dB
- 高出力 IP3: +45 dBm
- 小信号ゲイン: 11 dB
- 電源電圧: +28 V/850 mA
- 50 Ω に整合した入出力
- ダイ・サイズ: 2 mm x 4 mm x 0.1 mm
製品概要
HMC1087 は 8 W 窒化ガリウム（GaAs）MMIC パワー・アンプで、2 GHz ～ 20 GHz で動作します。このアンプの代表的な性能として、小信号ゲインは 11dB、飽和出力電力は +39 dBm、トーンあたりの出力電力が +29 dBm のときの出力 IP3 は +45 dBm です。HMC1087 には +28 V DC 電源から 850 mA の自己消費電流が流れます。マルチチップ・モジュール（MCM）に組み込みやすくするため、RF I/O は 50 Ω に整合しています。全ての電気的性能データは、直径 1.0 mil の複数のボール・ボンドでダイを厚さ 1.02 mm（40 mil）の CuMo キャリアに共晶接合し、アルミナ上の 50 Ω 伝送ラインに接続して測定したものです。
アプリケーション- 試験用計測器
- 汎用通信
- レーダー
製品ライフサイクル
製造中
この製品ファミリーの1つ以上の型番が生産／供給中です。新規の設計に適していますが、より新しい代替製品を提供している場合があります。
参考資料
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AN-1604: LFCSP パッケージおよびフランジ・パッケージに収容された RF アンプの温度管理計算 (Rev. 0)8/9/2019PDF247 K
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Thermal Management for Surface Mount Components General Application Note11/11/2015PDF189 K
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RF/マイクロ波/ミリ波IC セレクション・ガイド11/2/2022PDF7 M
ツールおよびシミュレーション
Sys-Parameters
Sys-Parameter Models for Keysight Genesys
Sys-Parameter models contain behavioral parameters, such as P1dB, IP3, gain, noise figure and return loss, which describe nonlinear and linear characteristics of a device.
S-Parameters
ZIP
HMC1087 Die S-Parameters
46.64 K
設計ツール
ADIsimRF
アナログ・デバイセズのADIsimRF設計ツールは、カスケード・ゲインやノイズ指数、IP3、P1dB、総合消費電力などRFシグナル・チェーン内の最も重要なパラメータの計算を行います。
設計リソース
アナログ・デバイセズでは、最高レベルの品質と信頼性を備えた製品を提供することに最大の力を常に注いでいます。これを実現するため、製品およびプロセスの設計のあらゆる観点で品質と信頼性のチェックを行っています。そして、それは、製造工程においても同様です。アナログ・デバイセズは常に、出荷製品の「ゼロ・ディフェクト」を目指しています。詳細についてはアナログ・デバイセズの品質および信頼性プログラム/認定証をご覧ください。
| 製品番号 | 材料宣誓書（MD） | 信頼性データ | ピン/パッケージ図 | CADシンボル、フットプリント & 3Dモデル |
|---|---|---|---|---|
| HMC1087 | 材料宣誓書（MD） | 信頼性データ | CHIPS OR DIE | |
| HMC1087-SX | 材料宣誓書（MD） | 信頼性データ | CHIPS OR DIE | |
| ウェハ・ファブリケーション・データ |
サポート ＆ ディスカッション
HMC1087-Die Discussions
サンプル＆購入
ご注文に関するFAQ
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購入価格
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リスト価格
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