製品概要

機能と利点

  • ゲイン: 22 dB
  • P1dB: +17.5 dBm
  • 電源電圧: +4 V
  • 50 Ω に整合した入出力
  • ダイ・サイズ: 2.65 mm x 1.6 mm x 0.05 mm

製品概要

HMC-AUH317 は、広ダイナミック・レンジの 3 段 GaAs HEMT MMIC 中出力パワー・アンプで、81 GHz ~ 86 GHz で動作します。HMC-AUH317 は、+4 V 電源電圧から 22 dB のゲインと 1 dB 圧縮ポイントでの +17.5 dBm の出力電力を提供します。全てのボンディング・パッドとダイ裏面は、Ti/Au でメタライズされ、アンプ・デバイスは信頼性の高い動作のために完全にパッシベーション処理されています。 

HMC-AUH317 GaAs HEMT MMIC 中出力パワー・アンプは、従来のダイ・アタッチ方式に加え、熱圧縮や熱超音波のワイヤ・ボンディングと互換性があるため、MCM やハイブリッド・マイクロ回路のアプリケーションに最適です。ここに示す全てのデータは、50 Ω 環境に置いたチップに RF プローブを接触させて測定したものです。 

アプリケーション
  • 短距離/高容量リンク
  • ワイヤレス LAN ブリッジ
  • 防衛および宇宙
  • E バンド通信システム

製品ライフサイクル icon-recommended 新規設計にお薦めします

発売済みの製品です。データシートには、最終的な仕様と動作条件がすべて記載されています。新規の設計には、これらの製品の使用を推奨します。

ツール

Sys-Parameters

Sys-Parameter Models for Keysight Genesys

Sys-Parameter models contain behavioral parameters, such as P1dB, IP3, gain, noise figure and return loss, which describe nonlinear and linear characteristics of a device.

S-Parameters

設計ツール

ADIsimRF

アナログ・デバイセズのADIsimRF設計ツールは、カスケード・ゲインやノイズ指数、IP3、P1dB、総合消費電力などRFシグナル・チェーン内の最も重要なパラメータの計算を行います。

設計リソース

ADI has always placed the highest emphasis on delivering products that meet the maximum levels of quality and reliability. We achieve this by incorporating quality and reliability checks in every scope of product and process design, and in the manufacturing process as well.  "Zero defects" for shipped products is always our goal.

PCN-PDN Information

サンプル&購入

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モデル一覧の項目説明