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HMC-AUH249 Data Sheet4/22/2015
製品概要
機能と利点
- 小信号ゲイン: 15 dB
- 出力電圧: 最大 8 VP-P
- Psat 出力電力: +23 dBm
- 高速性能: 3 dB 帯域幅: >35 GHz
- 電源電圧: +5 V/200 mA
- 小型ダイ・サイズ: 2.2 mm x 1.80 mm x 0.1 mm
製品概要
HMC-AUH249 は、DC ～ 43 GHz で動作する GaAs MMIC PHEMT ベースの分布型ドライバ・アンプ・ダイで、35 GHz の 3 dB 帯域幅（代表値）を提供します。このアンプは、15 dB のゲインと +23 dBm の飽和出力電力を提供しますが、+5 V 電源電圧からわずか 200 mA しか必要としません。
HMC-AUH249 は、25 GHz を超えてもゲインと位相リップルが非常に優れており、8 VP-P 以上を出力可能なため、広帯域ワイヤレス、光ファイバ通信、試験装置などのアプリケーションでの使用に最適です。このアンプ・ダイの実装面積は 4 mm² 未満なので、マルチチップ・モジュール（MCM）に容易に組み込むことができます。HMC-AUH232 は、バイアス・ティーに加え、外部ブロッキング部品、DC 電源ライン用のバイパス・コンデンサを必要とします。Vgg1 でデバイスのバイアス電流を調整し、Vgg2 で出力ゲインを調整します。
アプリケーション- 光ファイバ変調器ドライバ
- 試験装置および計測装置用ゲイン・ブロック
- ポイント to ポイントおよびポイント to マルチポイント無線
- 広帯域通信および情報収集システム
- レーダー警告システム
- 防衛および宇宙
製品ライフサイクル
新規設計には非推奨
新規設計にはお勧めしていません。
参考資料
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RF/マイクロ波/ミリ波IC セレクション・ガイド11/2/2022
ツールおよびシミュレーション
Sys-Parameters
Sys-Parameter Models for Keysight Genesys
Sys-Parameter models contain behavioral parameters, such as P1dB, IP3, gain, noise figure and return loss, which describe nonlinear and linear characteristics of a device.
S-Parameters
ZIP
HMC-AUH249-DIE S-Parameters
43.37 K
設計ツール
ADIsimRF
アナログ・デバイセズのADIsimRF設計ツールは、カスケード・ゲインやノイズ指数、IP3、P1dB、総合消費電力などRFシグナル・チェーン内の最も重要なパラメータの計算を行います。
設計リソース
アナログ・デバイセズでは、最高レベルの品質と信頼性を備えた製品を提供することに最大の力を常に注いでいます。これを実現するため、製品およびプロセスの設計のあらゆる観点で品質と信頼性のチェックを行っています。そして、それは、製造工程においても同様です。アナログ・デバイセズは常に、出荷製品の「ゼロ・ディフェクト」を目指しています。詳細についてはアナログ・デバイセズの品質および信頼性プログラム/認定証をご覧ください。
| 製品番号 | 材料宣誓書（MD） | 信頼性データ | ピン/パッケージ図 | CADシンボル、フットプリント & 3Dモデル |
|---|---|---|---|---|
| HMC-AUH249 | 材料宣誓書（MD） | 信頼性データ | CHIPS OR DIE | |
| HMC-AUH249-SX | 材料宣誓書（MD） | 信頼性データ | CHIPS OR DIE | |
| ウェハ・ファブリケーション・データ |
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