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HMC-APH518 Data Sheet4/22/2015PDF561 K
製品概要
機能と利点
- 出力 IP3: +39 dBm
- P1dB: +30.5 dBm
- ゲイン: 17 dB
- 電源電圧: +5 V
- 50 Ω に整合した入出力
- ダイ・サイズ: 4.49 mm x 1.31 mm x 0.1 mm
製品概要
HMC-APH518 は 2 段 GaAs HEMT MMIC 1 W パワー・アンプで、21 GHz ～ 24 GHz で動作します。HMC-APH518 は、+5 V 電源電圧から 17 dB のゲインと 1 dB 圧縮ポイントでの +30.5 dBm の出力電力を提供します。全てのボンディング・パッドとダイ裏面は、Ti/Au でメタライズされ、アンプ・デバイスは信頼性の高い動作のために完全にパッシベーション処理されています。
HMC-APH518 GaAs HEMT MMIC 1 W パワー・アンプは、従来のダイ・アタッチ方式に加え、熱圧縮や熱超音波のワイヤ・ボンディングと互換性があるため、MCM やハイブリッド・マイクロ回路のアプリケーションに最適です。ここに示す全てのデータは、50 Ω 環境に置いたチップに RF プローブを接触させて測定したものです。
アプリケーション- ポイント to ポイント無線
- ポイント to マルチポイント無線
- VSAT
- 防衛および宇宙
製品ライフサイクル
新規設計にお薦めします
発売済みの製品です。データシートには、最終的な仕様と動作条件がすべて記載されています。新規の設計には、これらの製品の使用を推奨します。
参考資料
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RF/マイクロ波/ミリ波IC セレクション・ガイド11/2/2022PDF7 M
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38, 60 & 82 GHz MMICs for High Capacity Communication Links5/5/2015PDF767 K
ツールおよびシミュレーション
Sys-Parameters
Sys-Parameter Models for Keysight Genesys
Sys-Parameter models contain behavioral parameters, such as P1dB, IP3, gain, noise figure and return loss, which describe nonlinear and linear characteristics of a device.
設計ツール
ADIsimRF
アナログ・デバイセズのADIsimRF設計ツールは、カスケード・ゲインやノイズ指数、IP3、P1dB、総合消費電力などRFシグナル・チェーン内の最も重要なパラメータの計算を行います。
設計リソース
アナログ・デバイセズでは、最高レベルの品質と信頼性を備えた製品を提供することに最大の力を常に注いでいます。これを実現するため、製品およびプロセスの設計のあらゆる観点で品質と信頼性のチェックを行っています。そして、それは、製造工程においても同様です。アナログ・デバイセズは常に、出荷製品の「ゼロ・ディフェクト」を目指しています。
