製品概要
機能と利点
- 出力 IP3: +39 dBm
- P1dB: +30.5 dBm
- ゲイン: 17 dB
- 電源電圧: +5 V
- 50 Ω に整合した入出力
- ダイ・サイズ: 4.49 mm x 1.31 mm x 0.1 mm
製品概要
HMC-APH518 は 2 段 GaAs HEMT MMIC 1 W パワー・アンプで、21 GHz ～ 24 GHz で動作します。HMC-APH518 は、+5 V 電源電圧から 17 dB のゲインと 1 dB 圧縮ポイントでの +30.5 dBm の出力電力を提供します。全てのボンディング・パッドとダイ裏面は、Ti/Au でメタライズされ、アンプ・デバイスは信頼性の高い動作のために完全にパッシベーション処理されています。
HMC-APH518 GaAs HEMT MMIC 1 W パワー・アンプは、従来のダイ・アタッチ方式に加え、熱圧縮や熱超音波のワイヤ・ボンディングと互換性があるため、MCM やハイブリッド・マイクロ回路のアプリケーションに最適です。ここに示す全てのデータは、50 Ω 環境に置いたチップに RF プローブを接触させて測定したものです。
アプリケーション- ポイント to ポイント無線
- ポイント to マルチポイント無線
- VSAT
- 防衛および宇宙
製品ライフサイクル
新規設計にお薦めします
発売済みの製品です。データシートには、最終的な仕様と動作条件がすべて記載されています。新規の設計には、これらの製品の使用を推奨します。
ドキュメント
データシート (1)
ツール
Sys-Parameters
Sys-Parameter models contain behavioral parameters, such as P1dB, IP3, gain, noise figure and return loss, which describe nonlinear and linear characteristics of a device.
参考資料
セレクション・ガイド (1)
設計リソース
ADI has always placed the highest emphasis on delivering products that meet the maximum levels of quality and reliability. We achieve this by incorporating quality and reliability checks in every scope of product and process design, and in the manufacturing process as well. "Zero defects" for shipped products is always our goal.
