製品概要

機能と利点

  • 4Aピーク電流(<2ΩRDSON_x
  • 2.5V~6.5Vのロジック入力電圧
  • 4.5V~35Vの出力電源電圧
  • UVLO VDD1立上がり閾値:2.5V(最大)
  • VDDA/DDB立上がり閾値で複数のUVLOオプション
    • グレードA:4.5V(最大)
    • グレードB:7.5V(最大)
    • グレードC:11.6V(最大)
  • 高精度タイミング特性
    • 伝搬遅延:44ns(最大)
  • 調整可能なデッド・タイムおよびデュアル入力(ADuM4221)
  • 調整可能なデッド・タイムおよびシングル入力(ADuM4221-1)
  • デッド・タイムのない制御およびデュアル入力(ADuM4221-2)
  • CMOS入力ロジック・レベル
  • 高いコモンモード過渡耐圧:150kV/µs
  • 高いジャンクション温度動作:125°C
  • デフォルトのロー・レベル出力
  • 安全と規制に関する認定(申請中)
    • UL 1577によるUL認定
      • 1分間で5700V(実効値)
    • CSA Component Acceptance Notice 5Aに準拠
    • VDE適合性認定
      • DIN V VDE V 0884-11:VIORM = 849Vピーク
  • 沿面距離を増やしたワイド・ボディ、16ピンSOIC_IC

製品概要

ADuM4221/ADuM4221-1/ADuM4221-2は4Aの絶縁型ハーフ・ブリッジ・ゲート・ドライバで、アナログ・デバイセズのiCoupler®技術を利用して独立した絶縁ハイサイド出力とローサイド出力を提供します。ADuM4221/ADuM4221-1/ADuM4221-2は5700V(実効値)の絶縁性能を備えており、沿面距離を増やしたワイド・ボディの16ピンSOIC_ICに収納されています。高速CMOS技術とモノリシック・トランス技術を組み合わせたこれらの絶縁部品は、パルス・トランスとゲート・ドライバの組み合わせによって実現する他のデバイスに比べて優れた性能特性を提供します。

このアイソレータは2.5V~6.5Vのロジック入力電圧で動作し、より低電圧のシステムとの互換性もあります。高電圧レベル変換方式を採用するゲート・ドライバと比較して、ADuM4221/ADuM4221-1/ADuM4221-2には、入力と出力が電気的に絶縁されるという利点があります。

ADuM4221/ADuM4221-1/ADuM4221-2はそれぞれオーバーラップ保護機能を内蔵しており、デッド・タイムを調整できます。デッド・タイム・ピン(DT)とGND1ピンの間にある1本の抵抗により、ハイ側/ロー側の出力間で2次側のデッド・タイムを設定します。

ADuM4221/ADuM4221-1/ADuM4221-2の内部温度がサーマル・シャットダウン(TSD)温度を超えた場合、内部サーマル・シャットダウンによって出力がローに設定されます。その結果、ADuM4221/ADuM4221-1/ADuM4221-2は、絶縁型ゲート・バイポーラ・トランジスタ(IGBT)/金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)構成のスイッチング特性を、正または負の幅広いスイッチング電圧範囲にわたり、高い信頼性で制御することができます。

アプリケーション

  • スイッチング電源
  • 絶縁型IGBT/MOSFETゲート・ドライバ
  • 産業用インバータ
  • 窒化ガリウム(GaN)/炭化ケイ素(SiC)互換

1米国特許5,952,849; 6,873,065; 7,075,239により保護されています。その他の特許は申請中です。

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評価キット (1)

ツール

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