製品概要

機能と利点

  • ピーク電流:4A(<2Ω RDSON_x
  • ロジック入力電圧:2.5V~6.5V
  • 出力電源電圧:4.5V~35V
  • UVLOのVDD1立上がり閾値:2.5V(最大値)
  • VDDAおよびVDDB立上がり閾値における複数のUVLOオプション
    • グレードA:4.5V(最大値)
    • グレードB:7.5V(最大値)
    • グレードC:11.6V(最大値)
  • 高精度タイミング特性
    • 伝搬遅延:44ns(最大値)
  • 調整可能なデッド・タイムとデュアル入力(ADuM4221)
  • 調整可能なデッド・タイムと単一入力(ADuM4221-1)
  • デッド・タイム制御のないデュアル入力(ADuM4221-2)
  • CMOS入力ロジック・レベル
  • 高いコモンモード過渡耐圧:150kV/µs
  • 高いジャンクション温度動作:125°C
  • デフォルトでロー・レベル出力
  • 安全性と規制に関する認定(申請中)
    • UL 1577によるUL認定
      • 5700V rmsで1分間
    • CSA Component Acceptance Notice 5Aに準拠
    • VDE適合性認定
      • DIN V VDE V 0884-11:VIORM = 849V peak
  • 沿面距離を増やした16ピン、ワイド・ボディSOIC_IC

製品概要

ADuM4221/ADuM4221-1/ADuM4221-2は、アナログ・デバイセズのiCoupler®技術を利用して個別に絶縁されたハイサイド出力とローサイド出力を実現する、4Aの絶縁型ハーフ・ブリッジ・ゲート・ドライバです。5700V rmsの絶縁性能を備えており、沿面距離を増やしたワイド・ボディの16ピンSOIC_ICパッケージで提供されます。この絶縁型デバイスは、高速CMOS技術とモノリシック・トランス技術を組み合わせることにより、パルス・トランスとゲート・ドライバを組み合わせた他の製品などに比べて優れた性能特性を実現します。

これらのアイソレータは2.5V~6.5Vのロジック入力電圧範囲で動作し、より低電圧のシステムとの互換性も備えています。高電圧レベルの変換方式を採用するゲート・ドライバと比較して、ADuM4221/ADuM4221-1/ADuM4221-2には、入力と出力が電気的に絶縁されるという利点があります。

ADuM4221/ADuM4221-1/ADuM4221-2は、オーバーラップの保護機能を備えていると共にデッド・タイムの調整が可能です。デッド・タイム・ピン(DT)とGND1ピンの間に抵抗を1つ接続することにより、2次側のハイサイド出力とローサイド出力間のデッド・タイムを設定します。

ADuM4221/ADuM4221-1/ADuM4221-2の内部温度がサーマル・シャットダウン(TSD)温度を超えると、内蔵TSDが出力をローにします。これにより、絶縁型ゲート・バイポーラ・トランジスタ(IGBT)/金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)構成のスイッチング特性を、正と負の幅広いスイッチング電圧範囲にわたり高い信頼性で制御できます。

アプリケーション

  • スイッチング電源
  • 絶縁型IGBT/MOSFETゲート・ドライバ
  • 産業用インバータ
  • 窒化ガリウム(GaN)/炭化ケイ素(SiC)互換

1 米国特許5,952,849; 6,873,065; 7,075,239により保護されています。その他の特許は申請中です。

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評価キット (1)

ツール

IBIS Models

設計リソース

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