ADUM4146

製造中

フォルト検出とミラー・クランプを内蔵した11A高電圧、絶縁型バイポーラ・ゲート・ドライバ

利用上の注意

本データシートの英語以外の言語への翻訳はユーザの便宜のために提供されるものであり、リビジョンが古い場合があります。最新の内容については、必ず最新の英語版をご参照ください。

なお、日本語版のデータシートは基本的に「Rev.0」(リビジョン0)で作成されています。そのため、英語版が後に改訂され、複数製品のデータシートがひとつに統一された場合、同じ「Rev.0」の日本語版のデータシートが異なる製品のデータシートとして表示されることがあります。たとえば、「ADM3307E」の場合、日本語データシートをクリックすると「ADM3311E」が表示されます。これは、英語版のデータシートが複数の製品で共有できるように1本化され、「ADM3307E/ADM3310E/ADM3311E/ADM3312E/ADM3315E」(Rev.J)と改訂されたからで、決して誤ってリンクが張られているわけではありません。和文化されたデータシートを少しでも有効に活用していただくためにこのような方法をとっておりますので、ご了解ください。

アナログ・デバイセズ社は、提供する情報が正確で信頼できるものであることを期していますが、その情報の利用に関して、あるいはその利用によって生じる第三者の特許やその他の権利の侵害に関して一切の責任を負いません。また、アナログ・デバイセズ社の特許または特許の権利の使用を明示的または暗示的に許諾するものでもありません。仕様は予告なしに変更する場合があります。本紙記載の商標および登録商標は、各社の所有に属します。

Viewing:

製品情報

  • 11Aの短絡ソース電流(0Ωゲート抵抗)
  • 9Aの短絡シンク電流(0Ωゲート抵抗)
  • 4.61Aのピーク電流(2Ωゲート抵抗)
  • 出力電力デバイス抵抗:<1 Ω
  • 出力電圧範囲:最大30V
  • VDD2に関する複数のUVLOオプション
    • グレードA:VDD2立上がり閾値でのUVLO:14.5V(代表値)
    • グレードBおよびグレードC:VDD2立上がり閾値でのUVLO:11.5V(代表値)
  • VDD1入力電圧範囲:2.5V~6V
  • 非飽和保護の機能
    • 非飽和故障時のソフト・シャットダウン
  • 複数の非飽和検出コンパレータ電圧
    • グレードB:9.2V(代表値)
    • グレードAおよびグレードC:3.5V(代表値)
  • ミラー・クランプ出力(ゲート・センス入力付き)
  • 絶縁故障およびレディ通知機能
  • 低伝搬遅延:75ns(代表値)
  • 動作温度範囲:−40°C~+125°C
  • 沿面距離:最小8.3mm
  • CMTI:100kV/μs
  • 安全性と規制に関する認定(申請中)
    • 1分間で5000V(実効値)、UL 1577規格に準拠
    • CSA Component Acceptance Notice 5Aに準拠
    • DIN V VDE V 0884-11
    • VIORM = 2150V peak

ADuM4146は、炭化ケイ素(SiC)金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)の駆動用に特別に最適化された1チャンネル・ゲート・ドライバです。入力信号と出力ゲート・ドライバ間の分離には、アナログ・デバイセズのiCoupler®技術が使用されています。

ADuM4146はミラー・クランプ回路を内蔵しており、ゲート電圧が2Vを下回った場合にシングルレール電源で確実にSiCをオフにできます。ミラー・クランプ動作あり/なしのどちらでも、ユニポーラまたはバイポーラの2次電源動作が可能です。

アナログ・デバイセズのチップ・スケール・トランスを内蔵しているので、チップの高電圧領域と低電圧領域間で制御情報の絶縁型通信も可能です。チップの状態に関する情報は、専用の出力から読み出すことができます。2次側での故障発生後のデバイスのリセット制御は、デバイスの1次側で行います。

ADuM4146には、高電圧短絡回路のSiC動作を保護する非飽和検出回路が内蔵されています。非飽和保護の機能には、最初のターンオンによる電圧スパイクをマスクすることを目的とした、スイッチング・イベント後の300nsのマスキング時間など、ノイズ低減機能も含まれます(データシートの図17を参照)。オプションで500μAの電流源を内蔵することで、デバイス数を少なくできます。ただし、ノイズ耐性を向上する必要がある場合は、内部ブランキング・スイッチを使用して外部電流源を追加できます。

2次低電圧ロックアウト(UVLO)は、共通のSiCと絶縁型ゲート・バイポーラ・トランジスタ(IGBT)のレベルを考慮し、グレードAの場合は14.5V(代表値)に、グレードBとグレードCの場合は11.5V(代表値)に設定されます。

アプリケーション

  • SiC/MOSFET/IGBTゲート・ドライバ
  • 太陽光発電(PV)インバータ
  • モータ駆動
  • 電源

ADUM4146
フォルト検出とミラー・クランプを内蔵した11A高電圧、絶縁型バイポーラ・ゲート・ドライバ
ADuM4146 Functional Block Diagram ADuM4146 Pin Configuration
myAnalogに追加

myAnalogの製品セクション(通知受け取り)、既存/新規プロジェクトに製品を追加する。

新規プロジェクトを作成
質問する
サポート

アナログ・デバイセズのサポート・ページはアナログ・デバイセズへのあらゆるご質問にお答えするワンストップ・ポータルです。


ドキュメント

さらに詳しく
myAnalogに追加

myAnalogのリソース・セクション、既存/新規プロジェクトにメディアを追加する。

新規プロジェクトを作成

ソフトウェア・リソース

必要なソフトウェア/ドライバが見つかりませんか?

ドライバ/ソフトウェアをリクエスト

ツールおよびシミュレーション

LTspice


下記製品はLTspiceで使用することが出来ます。:

  • ADUM4146A
  • ADUM4146B
  • ADUM4146C

IBISモデル 1

LTspice

LTspice®は、無料で提供される強力で高速な回路シミュレータと回路図入力、波形ビューワに改善を加え、アナログ回路のシミュレーションを容易にするためのモデルを搭載しています。

 


評価用キット

eval board
EVAL-ADUM4146WHB1Z

ハーフブリッジ構成のADuM4146(11A高電圧、絶縁型バイポーラ・ゲート・ドライバ)の性能評価

機能と利点

  • Wolfspeed SiC MOSFETおよびパワー・モジュールで使用するように最適化
  • Wolfspeed SpeedVal Kitとの互換性
  • Wolfspeed CILテスト・ボードおよびハーフブリッジ評価用ボードとの互換性
  • 高周波数、超高速スイッチング動作
  • 入出力側UVLO
  • 短絡保護
  • シュートスルー保護インターロック
  • ミラー・クランプ内蔵
  • ノイズ耐性向上のための差動入力
  • 故障インジケータおよびレディ・インジケータ
  • 絶縁型NTCサーミスタ計測

製品詳細

EVAL-ADuM4146WHB1Zは、ハーフブリッジ・ゲート・ドライブ・ボードであり、先進的なWolfspeed第3世代C3M炭化ケイ素(SiC)MOSFETおよびパワー・モジュールを駆動する際にADuM4146の性能を簡単に評価できます。EVAL-ADuM4146WHB1Zは、Wolfspeed SpeedVal Kit、クランプ誘導負荷(CIL)テスト・ボード、ハーフブリッジ評価用ボード、および差動トランシーバー・ボードと一緒に使用するために設計されています。

EVAL-ADuM4146WHB1Zには、負温度係数(NTC)サーミスタの抵抗を取得し、NTCの抵抗および温度に対応する可変周波数出力を提供するように設定された、絶縁型リターン・チャンネルがあります。

EVAL-ADuM4146WHB1Zの制御および入力インターフェースは、ノイズおよび外乱に対する耐性を高めるためにRS-422信号を使用し、12V消費電力入力を内蔵しています。

ADuM4146の詳細については、ADuM4146のデータシートを参照してください。EVAL-ADuM4146WHB1Zを使用する際には、必ずこのデータシートを参照してください。

eval board
EVAL-ADuM4146EBZ

フォルト検出とミラー・クランプを内蔵したADuM4146 11A高電圧、絶縁型バイポーラ・ゲート・ドライバの性能評価

機能と利点

  • 11Aのピーク短絡電流
  • 非飽和保護回路
  • ミラー・クランプ内蔵
  • CMOS入力ロジック・レベル
  • 12V~30V出力駆動
  • TO-220およびTO-247のスイッチ・フットプリントをサポート

製品詳細

EVAL-ADuM4146EBZは、ADuM4146高度絶縁型ゲート・ドライバをサポートします。EVAL-ADuM4146EBZに搭載されているのはADuM4146BRWZグレードのモデルですが、3つのグレードすべてと互換性があります。この評価用ボードは、絶縁型ゲート・バイポーラ・トランジスタ(IGBT)および金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)用のフットプリントを、TO-247、TO-220、および0.100インチ間隔のピン・パッケージ内に備えているため、様々な電源デバイスでADuM4146を評価できます。EVAL-ADuM4146EBZのフットプリントにより、非飽和検出やミラー・クランプ動作の評価を容易に行うことができます。

ADuM4146のその他の詳細については、ADuM4146のデータシートを参照してください。この評価用ボードを使用する際は、データシートと併せてこのユーザ・ガイドを参照してください。

サポートされるiCouplerモデル

  • ADuM4146ARWZ
  • ADuM4146BRWZ
  • ADuM4146CRWZ

EVAL-ADUM4146WHB1Z
ハーフブリッジ構成のADuM4146(11A高電圧、絶縁型バイポーラ・ゲート・ドライバ)の性能評価
EVAL-ADUM4146 (Angle View) EVAL-ADUM4146 (Top View) EVAL-ADUM4146 (Bottom View)
EVAL-ADuM4146EBZ
フォルト検出とミラー・クランプを内蔵したADuM4146 11A高電圧、絶縁型バイポーラ・ゲート・ドライバの性能評価
EVAL-ADuM4146EBZ Evaluation Board

最新のディスカッション

最近表示した製品