製品概要

機能と利点

  • 11Aの短絡ソース電流(0Ωゲート抵抗)
  • 9Aの短絡シンク電流(0Ωゲート抵抗)
  • 4.61Aのピーク電流(2Ωゲート抵抗)
  • 出力電力デバイス抵抗:<1 Ω
  • 出力電圧範囲:最大30V
  • VDD2に関する複数のUVLOオプション
    • グレードA:VDD2立上がり閾値でのUVLO:14.5V(代表値)
    • グレードBおよびグレードC:VDD2立上がり閾値でのUVLO:11.5V(代表値)
  • VDD1入力電圧範囲:2.5V~6V
  • 非飽和保護の機能
    • 非飽和故障時のソフト・シャットダウン
  • 複数の非飽和検出コンパレータ電圧
    • グレードB:9.2V(代表値)
    • グレードAおよびグレードC:3.5V(代表値)
  • ミラー・クランプ出力(ゲート・センス入力付き)
  • 絶縁故障およびレディ通知機能
  • 低伝搬遅延:75ns(代表値)
  • 動作温度範囲:−40°C~+125°C
  • 沿面距離:最小8.3mm
  • CMTI:100kV/μs
  • 安全性と規制に関する認定(申請中)
    • 1分間で5000V(実効値)、UL 1577規格に準拠
    • CSA Component Acceptance Notice 5Aに準拠
    • DIN V VDE V 0884-11
    • VIORM = 2150V peak

製品概要

ADuM4146は、炭化ケイ素(SiC)金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)の駆動用に特別に最適化された1チャンネル・ゲート・ドライバです。入力信号と出力ゲート・ドライバ間の分離には、アナログ・デバイセズのiCoupler®技術が使用されています。

ADuM4146はミラー・クランプ回路を内蔵しており、ゲート電圧が2Vを下回った場合にシングルレール電源で確実にSiCをオフにできます。ミラー・クランプ動作あり/なしのどちらでも、ユニポーラまたはバイポーラの2次電源動作が可能です。

アナログ・デバイセズのチップ・スケール・トランスを内蔵しているので、チップの高電圧領域と低電圧領域間で制御情報の絶縁型通信も可能です。チップの状態に関する情報は、専用の出力から読み出すことができます。2次側での故障発生後のデバイスのリセット制御は、デバイスの1次側で行います。

ADuM4146には、高電圧短絡回路のSiC動作を保護する非飽和検出回路が内蔵されています。非飽和保護の機能には、最初のターンオンによる電圧スパイクをマスクすることを目的とした、スイッチング・イベント後の300nsのマスキング時間など、ノイズ低減機能も含まれます(データシートの図17を参照)。オプションで500μAの電流源を内蔵することで、デバイス数を少なくできます。ただし、ノイズ耐性を向上する必要がある場合は、内部ブランキング・スイッチを使用して外部電流源を追加できます。

2次低電圧ロックアウト(UVLO)は、共通のSiCと絶縁型ゲート・バイポーラ・トランジスタ(IGBT)のレベルを考慮し、グレードAの場合は14.5V(代表値)に、グレードBとグレードCの場合は11.5V(代表値)に設定されます。

アプリケーション

  • SiC/MOSFET/IGBTゲート・ドライバ
  • 太陽光発電(PV)インバータ
  • モータ駆動
  • 電源

製品ライフサイクル icon-recommended 新規設計にお薦めします

発売済みの製品です。データシートには、最終的な仕様と動作条件がすべて記載されています。新規の設計には、これらの製品の使用を推奨します。

評価キット (2)

ツール

IBIS Models

設計リソース

アナログ・デバイセズでは、最高レベルの品質と信頼性を備えた製品を提供することに最大の力を常に注いでいます。これを実現するため、製品およびプロセスの設計のあらゆる観点で品質と信頼性のチェックを行っています。そして、それは、製造工程においても同様です。アナログ・デバイセズは常に、出荷製品の「ゼロ・ディフェクト」を目指しています。

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評価用ボード

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