製品概要

機能と利点

  • 反射, 50 Ω 設計
  • 低挿入損失:0.7 dB(代表値)〜 2.0 GHz
  • TCASE = 105°C で高出力に対応
    • 長寿命(> 10 年)(平均値)
      • CW 電力:43 dBm
      • ピーク電力:49 dBm
      • 平均 LTE 出力(8 dB PAR):41 dBm
    • シングル・イベント(< 10 秒)(平均値)
      • 平均 LTE 出力(8 dB PAR):44 dBm
  • 高直線性
    • P0.1dB:47 dBm(代表値)
    • IP3:70 dBm(代表値)
  • ESD 定格
    • HBM:4 kV、(クラス 3A)
    • CDM:1.25 kV
  • 正側(供給)単電源:5 V
  • 正電圧制御、CMOS/TTL 互換
  • 32 ピン 5 mm × 5 mm LFCSP パッケージ

製品概要

ADRF5160 は 0.7 GHz ~ 4.0 GHz のシリコンベースの高出力シリコン単極 2 投(SPDT)反射スイッチで、リードレスの表面実装パッケージを採用しています。このスイッチは、ロングターム・エボリューション(LTE)ベースのステーションなどの高出力のセルラ・インフラストラクチャ・アプリケーションに最適です。ADRF5160 は、41 dBm(8 dB PAR LTE、長寿命(>10 年)平均代表値)の高出力に対応し、0.7 dB(代表値)〜 2.0 GHz の低挿入損失、70 dBm(代表値)の入力 3 次インターセプト(IP3)、47 dBm の 0.1 dB 圧縮ポイント(P0.1dB)を実現します。オンチップ回路は、5 Vの正側(供給)単電源および 1.1 mA(代表値)の代表的な電源電流で動作し、ADRF5160 はピン・ダイオード・ベースのスイッチに代わる最適なソリューションとなります。

ADRF5160 は、RoHS 準拠の小型 32 ピン 5 mm × 5 mm LFCSP を採用しています。

アプリケーション

  • ワイヤレス・インフラストラクチャ
  • 防衛および高信頼性アプリケーション
  • 試験装置
  • ピン・ダイオードに代わる製品

製品ライフサイクル icon-recommended 新規設計にお薦めします

発売済みの製品です。データシートには、最終的な仕様と動作条件がすべて記載されています。新規の設計には、これらの製品の使用を推奨します。

評価キット (1)

ツール

S-Parameters

設計ツール

ADIsimRF

アナログ・デバイセズのADIsimRF設計ツールは、カスケード・ゲインやノイズ指数、IP3、P1dB、総合消費電力などRFシグナル・チェーン内の最も重要なパラメータの計算を行います。

設計リソース

アナログ・デバイセズでは、最高レベルの品質と信頼性を備えた製品を提供することに最大の力を常に注いでいます。これを実現するため、製品およびプロセスの設計のあらゆる観点で品質と信頼性のチェックを行っています。そして、それは、製造工程においても同様です。アナログ・デバイセズは常に、出荷製品の「ゼロ・ディフェクト」を目指しています。

サンプル&購入


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モデル一覧の項目説明

 

 

 

評価用ボード

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