製品概要

機能と利点

  • 反射、50Ω設計
  • 低挿入損失:2.7GHzで0.6dB(代表値)
  • TCASE = 105°Cで高出力に対応
    • 長寿命(10年以上)
      • ピーク電力:43dBm
      • CW電力:38dBm
      • 平均LTE出力(8dB PAR):35dBm
  • シングル・イベント(10秒以内の動作)
    • 平均LTE出力(8dB PAR):41dBm
  • 高直線性
    • P0.1dB:42.5dBm(代表値)
    • IP3:2.0GHz~4.0GHzで65dBm(代表値)
  • ESD定格
    • HBM:2kV、クラス2
    • CDM:1.25kV
  • 正側(供給)単電源:5V
  • 正電圧制御、CMOS/TTL互換
  • 16ピン3mm × 3mm LFCSPパッケージ

製品概要

ADRF5132は0.7GHz~5.0GHzの高出力反射シリコン単極2投(SPDT)反射スイッチで、リードレスの表面実装パッケージを採用しています。このスイッチは、ロングターム・エボリューション(LTE)ベースのステーションのような高出力のセルラ・インフラストラクチャ・アプリケーションに最適です。ADRF5132は、35dBm LTE(105°Cでの平均代表値)の高出力に対応し、2.7GHzで0.6dBの低挿入損失、65dBm(代表値)の入力3次インターセプト、42.5dBmの0.1dB圧縮(P0.1dB)を実現します。

オンチップ回路は、5Vの正側(供給)単電源および1.1mA(代表値)の代表的な電源電流で動作し、ADRF5132はピン・ダイオード・ベースのスイッチに代わる最適なソリューションとなります。

デバイスは、RoHS準拠の16ピン小型3mm × 3mm LFCSPパッケージを採用しています。

アプリケーション

  • セルラ/4Gインフラストラクチャ
  • ワイヤレス・インフラストラクチャ
  • 防衛および高信頼性アプリケーション
  • 試験装置
  • ピン・ダイオードに代わる製品

製品ライフサイクル icon-recommended 新規設計にお薦めします

発売済みの製品です。データシートには、最終的な仕様と動作条件がすべて記載されています。新規の設計には、これらの製品の使用を推奨します。

評価キット (1)

ツール

S-Parameters

設計ツール

ADIsimRF

アナログ・デバイセズのADIsimRF設計ツールは、カスケード・ゲインやノイズ指数、IP3、P1dB、総合消費電力などRFシグナル・チェーン内の最も重要なパラメータの計算を行います。

設計リソース

アナログ・デバイセズでは、最高レベルの品質と信頼性を備えた製品を提供することに最大の力を常に注いでいます。これを実現するため、製品およびプロセスの設計のあらゆる観点で品質と信頼性のチェックを行っています。そして、それは、製造工程においても同様です。アナログ・デバイセズは常に、出荷製品の「ゼロ・ディフェクト」を目指しています。

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