ADH8412S

新規設計に推奨

ADH8412S: Low Noise Amplifier, 0.4 GHz to 11 GHz

製品モデル
4
1Ku当たりの価格
最低価格:$88.81
利用上の注意

アナログ・デバイセズ社は、提供する情報が正確で信頼できるものであることを期していますが、その情報の利用に関して、あるいはその利用によって生じる第三者の特許やその他の権利の侵害に関して一切の責任を負いません。また、アナログ・デバイセズ社の特許または特許の権利の使用を明示的または暗示的に許諾するものでもありません。仕様は予告なしに変更する場合があります。本紙記載の商標および登録商標は、各社の所有に属します。


本データシートの英語以外の言語への翻訳はユーザの便宜のために提供されるものであり、リビジョンが古い場合があります。最新の内容については、必ず最新の英語版をご参照ください。

なお、日本語版のデータシートは基本的に「Rev.0」(リビジョン0)で作成されています。そのため、英語版が後に改訂され、複数製品のデータシートがひとつに統一された場合、同じ「Rev.0」の日本語版のデータシートが異なる製品のデータシートとして表示されることがあります。たとえば、「ADM3307E」の場合、日本語データシートをクリックすると「ADM3311E」が表示されます。これは、英語版のデータシートが複数の製品で共有できるように1本化され、「ADM3307E/ADM3310E/ADM3311E/ADM3312E/ADM3315E」(Rev.G)と改訂されたからで、決して誤ってリンクが張られているわけではありません。和文化されたデータシートを少しでも有効に活用していただくためにこのような方法をとっておりますので、ご了解ください。

Viewing:

製品の詳細

  • Low noise figure: 1.4 dB typical at 0.4 GHz to 3 GHz
  • Single positive supply (self biased)
  • High gain: ≤15.5 dB typical
  • High OIP3: ≤33 dBm typical
  • RoHS compliant, 2 mm × 2 mm, 6-lead LFCSP

COMMERCIAL SPACE FEATURES

  • Supports aerospace applications
  • Wafer diffusion lot traceability
  • Radiation monitor
  • Total ionizing dose (TID)
  • Outgassing characterization
ADH8412S
ADH8412S: Low Noise Amplifier, 0.4 GHz to 11 GHz
ADH8412S Functional Block Diagram ADH8412S Pin Configuration
myAnalogに追加

myAnalogの製品セクション(通知受け取り)、既存/新規プロジェクトに製品を追加する。

新規プロジェクトを作成
質問する
サポート

アナログ・デバイセズのサポート・ページはアナログ・デバイセズへのあらゆるご質問にお答えするワンストップ・ポータルです。


ドキュメント

さらに詳しく
myAnalogに追加

myAnalogの製品セクション(通知受け取り)、既存/新規プロジェクトに製品を追加する。

新規プロジェクトを作成

評価用キット

eval board
Eval-HMC8412

HMC8412評価用ボード

機能と利点

  • 4層のRogers 4350BおよびIsola 370HR評価用ボード
  • エンド起動、3.5mm RFコネクタ
  • スルー・キャリブレーション・パス(未実装)

製品詳細

EV1HMC8412LP2Fは、厚さ10ミルのRogers 4350BおよびIsola 370HR銅被覆を使用し、公称62ミルの厚さになる4層のプリント回路基板(PCB)で構成されています。EV1HMC8412LP2FのRFINおよびRFOUTポートは3.5mmメス同軸コネクタで装着されており、それぞれのRFパターンは50Ωの特性インピーダンスを持ちます。EV1HMC8412LP2Fには、HMC8412の動作温度−40°C~+85°Cの全範囲で使用に適したコンポーネントが搭載されています。ボード・パターン損失を補正するため、J1コネクタとJ2コネクタの間にスルー・キャリブレーション・パスが用意されています。スルー・キャリブレーション・パスを使用するには、J1およびJ2にRFコネクタを差し込む必要があります。スルー・キャリブレーション・パスの性能については、表1と図3を参照してください。EV1HMC8412LP2Fグラウンド・パスとVDDピンには、表面実装技術(SMT)テスト・ポイント・コネクタのGNDおよびVDDを使用してアクセスします。RBIASピンでのアクセスを簡単にするため、VBIAS用の追加のテスト・ポイントも用意されています(テスト・ポイント・アセンブリについては図5を参照)。

EV1HMC8412LP2FのRFパターンは、50Ωのグランデッド・コプレーナ導波路です。パッケージのグラウンド・ピンと露出パッドは、グラウンド・プレーンに直接接続します。ヒート・シンクへの適切な電気伝導および熱伝導を確保するため、グラウンド・パドル直下の領域に特に集中させる形で、上面と底面のグランド・プレーンを複数のビアで接続しています。

EV1HMC8412LP2Fの電源デカップリング・コンデンサは、デバイスの特性評価に使用される構成を表しています。コンデンサの数を減らすことができますが、その数はシステムごとに異なります。コンデンサの数を減らすときは、まずHMC8412から最も遠い最大のコンデンサを取り外すか、組み合わせることをお勧めします。

必要な装置

  • RF信号発生器
  • RFスペクトラム・アナライザ
  • RFネットワーク・アナライザ
  • 電源:5V、100mA

Eval-HMC8412
HMC8412評価用ボード
EV1HMC8412LP2F

最新のディスカッション

adh8412sに関するディスカッションはまだありません。意見を投稿しますか?

EngineerZone®でディスカッションを始める

最近表示した製品