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ADRF5160: 高出力、88W ピークシリコンSPDT、反射スイッチ0.7GHz~4.0GHz データシート (Rev. 0)5/7/2018PDF344 K
製品概要
機能と利点
- 反射, 50 Ω 設計
- 低挿入損失:0.7 dB(代表値)〜 2.0 GHz
- TCASE = 105°C で高出力に対応
- 長寿命(> 10 年)(平均値)
- CW 電力:43 dBm
- ピーク電力:49 dBm
- 平均 LTE 出力(8 dB PAR):41 dBm
- シングル・イベント(< 10 秒)(平均値)
- 平均 LTE 出力(8 dB PAR):44 dBm
- 長寿命(> 10 年)(平均値)
- 高直線性
- P0.1dB:47 dBm(代表値)
- IP3:70 dBm(代表値)
- ESD 定格
- HBM:4 kV、(クラス 3A)
- CDM:1.25 kV
- 正側(供給)単電源:5 V
- 正電圧制御、CMOS/TTL 互換
- 32 ピン 5 mm × 5 mm LFCSP パッケージ
製品概要
ADRF5160 は 0.7 GHz ~ 4.0 GHz のシリコンベースの高出力シリコン単極 2 投(SPDT)反射スイッチで、リードレスの表面実装パッケージを採用しています。このスイッチは、ロングターム・エボリューション(LTE)ベースのステーションなどの高出力のセルラ・インフラストラクチャ・アプリケーションに最適です。ADRF5160 は、41 dBm(8 dB PAR LTE、長寿命(>10 年)平均代表値)の高出力に対応し、0.7 dB(代表値)〜 2.0 GHz の低挿入損失、70 dBm(代表値)の入力 3 次インターセプト(IP3)、47 dBm の 0.1 dB 圧縮ポイント(P0.1dB)を実現します。オンチップ回路は、5 Vの正側(供給)単電源および 1.1 mA(代表値)の代表的な電源電流で動作し、ADRF5160 はピン・ダイオード・ベースのスイッチに代わる最適なソリューションとなります。
ADRF5160 は、RoHS 準拠の小型 32 ピン 5 mm × 5 mm LFCSP を採用しています。
アプリケーション
- ワイヤレス・インフラストラクチャ
- 防衛および高信頼性アプリケーション
- 試験装置
- ピン・ダイオードに代わる製品
製品ライフサイクル
新規設計にお薦めします
発売済みの製品です。データシートには、最終的な仕様と動作条件がすべて記載されています。新規の設計には、これらの製品の使用を推奨します。
評価キット (1)
参考資料
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RF/マイクロ波/ミリ波IC セレクション・ガイド11/2/2022PDF7 M
ツールおよびシミュレーション
S-Parameters
設計ツール
アナログ・デバイセズのADIsimRF設計ツールは、カスケード・ゲインやノイズ指数、IP3、P1dB、総合消費電力などRFシグナル・チェーン内の最も重要なパラメータの計算を行います。
設計リソース
アナログ・デバイセズでは、最高レベルの品質と信頼性を備えた製品を提供することに最大の力を常に注いでいます。これを実現するため、製品およびプロセスの設計のあらゆる観点で品質と信頼性のチェックを行っています。そして、それは、製造工程においても同様です。アナログ・デバイセズは常に、出荷製品の「ゼロ・ディフェクト」を目指しています。
サポート & ディスカッション
ADRF5160 Discussions
サンプル&購入
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評価用ボード
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価格は1個当たりの米ドルで、米国内における販売価格(FOB)で表示されておりますので、予算のためにのみご使用いただけます。 また、その価格は変更されることがあります。米国以外のお客様への価格は、輸送費、各国の税金、手数料、為替レートにより決定されます。価格・納期等の詳細情報については、弊社正規販売代理店または担当営業にお問い合わせください。なお、 評価用ボードおよび評価用キットの表示価格は1個構成としての価格です。