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製品概要
機能と利点
- 反射, 50 Ω 設計
- 低挿入損失:0.7 dB（代表値）〜 2.0 GHz
- TCASE = 105°C で高出力に対応
- 長寿命（> 10 年）（平均値）
- CW 電力:43 dBm
- ピーク電力:49 dBm
- 平均 LTE 出力（8 dB PAR）:41 dBm
- シングル・イベント（< 10 秒）（平均値）
- 平均 LTE 出力（8 dB PAR）:44 dBm
- 長寿命（> 10 年）（平均値）
- 高直線性
- P0.1dB:47 dBm（代表値）
- IP3:70 dBm（代表値）
- ESD 定格
- HBM:4 kV、（クラス 3A）
- CDM:1.25 kV
- 正側（供給）単電源:5 V
- 正電圧制御、CMOS/TTL 互換
- 32 ピン 5 mm × 5 mm LFCSP パッケージ
製品概要
ADRF5160 は 0.7 GHz ～ 4.0 GHz のシリコンベースの高出力シリコン単極 2 投（SPDT）反射スイッチで、リードレスの表面実装パッケージを採用しています。このスイッチは、ロングターム・エボリューション（LTE）ベースのステーションなどの高出力のセルラ・インフラストラクチャ・アプリケーションに最適です。ADRF5160 は、41 dBm（8 dB PAR LTE、長寿命（>10 年）平均代表値）の高出力に対応し、0.7 dB（代表値）〜 2.0 GHz の低挿入損失、70 dBm（代表値）の入力 3 次インターセプト（IP3）、47 dBm の 0.1 dB 圧縮ポイント（P0.1dB）を実現します。オンチップ回路は、5 Vの正側（供給）単電源および 1.1 mA（代表値）の代表的な電源電流で動作し、ADRF5160 はピン・ダイオード・ベースのスイッチに代わる最適なソリューションとなります。
ADRF5160 は、RoHS 準拠の小型 32 ピン 5 mm × 5 mm LFCSP を採用しています。
アプリケーション
- ワイヤレス・インフラストラクチャ
- 防衛および高信頼性アプリケーション
- 試験装置
- ピン・ダイオードに代わる製品
製品ライフサイクル
新規設計にお薦めします
発売済みの製品です。データシートには、最終的な仕様と動作条件がすべて記載されています。新規の設計には、これらの製品の使用を推奨します。
評価キット (1)
ツール
S-Parameters
設計ツール
アナログ・デバイセズのADIsimRF設計ツールは、カスケード・ゲインやノイズ指数、IP3、P1dB、総合消費電力などRFシグナル・チェーン内の最も重要なパラメータの計算を行います。
参考資料
セレクション・ガイド (1)
設計リソース
ADI has always placed the highest emphasis on delivering products that meet the maximum levels of quality and reliability. We achieve this by incorporating quality and reliability checks in every scope of product and process design, and in the manufacturing process as well. "Zero defects" for shipped products is always our goal.
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