製品概要

機能と利点

  • 受信経路にパワー・リミッタを内蔵した高出力送受信スイッチ
  • 周波数範囲:6GHz~12GHz
  • 反射50Ω設計
  • 低挿入損失
    • TXからANT:8GHz~11GHzで0.9dB
    • ANTからRX:8GHz~11GHzで1.4dB
  • 高アイソレーション:TX選択時にTXからRXで55dB(代表値)
  • 高出力に対応(TCASE = 50°C)
  • TXでの入力:40dBmのパルス、>100nsのパルス幅(15%のデューティ・サイクル)
    • ANTでの入力:40dBmのパルス、>100nsのパルス幅(15%のデューティ・サイクル)
  • RXフラット・リーク:17dBm
  • 高直線性
    • TXアームでの入力P0.1dB:41dBm
  • 高速スイッチング時間:50ns
  • 高速応答および回復時間:<10ns
  • 両電源、低周波数スプリアスなし
  • 正電圧制御インターフェース:CMOS/LVTTL互換
  • 20ピン、3mm × 3mm LGAパッケージ
  • ADRF5144とピン互換

製品概要

ADRF5141は、シリコン・プロセスで製造された反射SPDTスイッチです。ADRF5141は、受信経路にパワー・リミッタが内蔵された送受信のアプリケーションで使用されます。

ADRF5141は6GHz~12GHzで動作します。パワー・リミッタが内蔵されたRXアームには、8GHz~11GHzにおいて、17dBmのフラット・リークと1.4dBの低挿入損失があります。TXアームには、8GHz~11GHzにおいて、0.9dBの挿入損失があります。

ADRF5141では、+3.3Vの正側(供給)電源で13µA、−3.3Vの負電源で360µAの低電流が流れます。また、相補型金属酸化膜半導体(CMOS)/低電圧トランジスタ-トランジスタ・ロジック(LVTTL)互換の制御が採用されています。ADRF5141は追加のドライバ回路が不要なため、窒化ガリウム(GaN)およびPINダイオードベースのスイッチに代わる最適なソリューションとなります。

ADRF5141は、20ピン、3.0mm × 3.0mmのRoHS準拠ランド・グリッド・アレイ(LGA)パッケージで提供され、−40ºC~+105ºCで動作可能です。

アプリケーション

  • Xバンド通信およびレーダー
  • 電子戦
  • 衛星通信
  • GaNダイオードおよびPINダイオードに代わる製品
  • 製品ライフサイクル icon-recommended 新規設計にお薦めします

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    アナログ・デバイセズでは、最高レベルの品質と信頼性を備えた製品を提供することに最大の力を常に注いでいます。これを実現するため、製品およびプロセスの設計のあらゆる観点で品質と信頼性のチェックを行っています。そして、それは、製造工程においても同様です。アナログ・デバイセズは常に、出荷製品の「ゼロ・ディフェクト」を目指しています。

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