AN-1260:视频解码器、HDMI接收器和收发器的晶振设计考虑因素

简介

为实现频率稳定性和精确性,使用本应用笔记作为振荡器外部电路的设计指南。

此外,本应用笔记还描述视频解码器的振荡器电路。在基频模式下,大部分ADI视频解码器通常都需要一个标称频率为28.63636 MHz1、频率稳定性为50 ppm的晶振。表1详细罗列了用于ADV7403评估板的晶振规格。本应用笔记基于ADV7401和ADV7403;然而它同样适用于ADV740x、ADV718xADV728xADV7800ADV7802ADV7842ADV7844ADV7850视频解码器。

表1. 用于ADV7403评估板的晶振规格(参见参考文献1)
特性 数值
封装形式 HC49
标称频率 28.63636 MHz
振荡模式 基频
频率校准(25°C时) ±0.0030%
频率温度稳定性容差 ±0.0050%
工作温度范围 −10°C至+60°C
等效电阻(最大值) 30 Ω
负载电容 30 pF
驱动电平 100 μW
分流电容(最大值) 7.0 pF
年老化率 ±0.0003%

视频产品内置独立的高清多媒体接口(HDMI®)接收器(ADV7611ADV7612ADV7619ADV7604)以及HDMI视频接收器,这些器件无法对模拟视频进行数字化(比如ADV7622ADV7623);可以使用最小化传输差分信号(TMDS)时钟来接收像素信号。这些器件不需要高精度晶振时钟源,因为晶振精度不影响视频质量。这种情况下,来自晶振电路的时钟主要用于测量TMDS频率时钟,以便产生自由运行的视频图案,并执行其他非视频相关操作,比如扩展显示识别数据(EDID)和高带宽数字内容保护(HDCP)。因此,它不会影响已处理视频的质量。

振荡器说明

电路


图1显示视频解码器中振荡器的框图。石英晶振的等效电路如图2所示。C0是晶振的分流或静态电容。R1表示动态电阻,L1表示动态电感,C1表示动态电容。R1、L1和C1由晶振的机械属性所决定。它们位于晶振的动态支臂上,并且仅在晶振振荡时才会产生影响(参见参考文献2)。R是外部分流电阻,对于ADV740x系列产品而言,其建议值为1 MΩ。

图1. 振荡器框图

 

图2. 晶振等效电路图

 

额外的外部分流电阻适用于大部分视频解码器和HDMI接收器,但ADV7850和ADV7619除外。如需最新的信息,请参见ADI网站上相关视频器件的推荐原理图:www.analog.com。


串联和并联谐振


晶振的有效电抗曲线如图3所示。区域1和区域2中的频率范围表示基频模式。

图3. 晶振电抗

基频模式有两种谐振类型:串联和并联。

当L1动态电感与C1动态电容谐振时,将会产生串联谐振。串联谐振频率由下式近似确定:

equation1

当负载电容CL两端连接晶振引脚时,产生并联谐振。并联谐振中晶振的振荡频率由下式近似确定:

equation2

注意,图3区域2显示的并联谐振可计算如下:

equation3

用于ADV740x解码器的晶振在并联谐振模式下振荡,本应用笔记的其余部分将会讨论。工作频率等于区域2范围内显示的晶振频率(见图3)。

晶振规格

频率容差


频率容差是指晶振适当调谐时,在有限频率范围内振荡的能力。制造商通常给出与频率容差有关的两个规格,包括:

  • 频率校准容差,表示25°C时标称频率的最大偏差。
  • 频率温度稳定性容差,表示温度在工作温度范围内波动时,标称频率的最大偏差。

表1中的频率校准容差为±0.0030%;因此,最大频率偏差(∆f)由下式给出:

equation4

因此,下式正确:

equation5


负载电容


晶振数据手册中的负载电容给出25°C时,容差范围内的并联谐振频率。因此,设计一个匹配负载电容的电路很重要,以便达到制造商规定的频率。使用下式计算负载:

equation6

其中:
CPG1CPG2表示引脚到地电容。
CS表示印刷电路板(PCB)杂散电容。

一个较好的原则是CPG1和CPG2近似取5 pF至10 pF,而CS 近似取2 pF至3 pF。

 

图4. 计算晶振负载电容

 

例如,使CPG1 = CPG2 = CPG = 4 pF且C1 = C2 = C。CPG表示寄生接地电容。如需使负载电容CL = 30 pF,则C值必须为已知(见表1)。C值可从上式获取。

equation7

因此,针对C1和C2,可选择两个47 pF电容。通过改变C1和C2的起始值,可优化电路性能。


等效串联电阻


等效串联电阻(ESR)通常由制造商指定。假定振荡器匹配负载电容(CL),则ESR是晶振阻抗的实值部分。

equation8

例如,表1中给出的晶振ESR为30 Ω,CL等于30 pF。针对ADV740x解码器,建议ESR ≤ 30 Ω。


驱动电平


驱动电平等于晶振功耗。将功耗限制在规格数值以内很重要,以防晶振受损。如果晶振峰值电压由于直流电源而取近似值,那么功耗可近似表示为:

equation9


质量因数


晶振数据手册中通常不提供品质因数(Q)。Q因数是存储电能的无功功率与所有电能损耗总和之比。因此,当不存在任何损耗时,理想振荡器中的Q因数等于无穷大。标准晶振的Q因数范围为20,000至200,000。Q因数极高的晶振有助于晶振的高频稳定性。

注释

1 若使用ADV7850,则该值为27 MHz;更多信息请参见相关视频器件的推荐原理图。

参考电路

1 产品规格:HC49标准晶振系列(产品型号MA01377),Golledge Electronics, Ltd.,有关该器件的更多信息,请联系Golledge Electronics。

2 应用笔记AP-155:用于微控制器的振荡器(英特尔公司,1983年6月)。