DS1230Y
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DS1230Y

256k非易失SRAM

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产品详情
产品模型 12
特性
  • 在没有外部电源的情况下最少可以保存数据10年
  • 掉电期间数据被自动保护
  • 替代32k x 8易失静态RAM、EEPROM或闪存
  • 没有写次数限制
  • 低功耗CMOS操作
  • 70ns的读写存取时间
  • 第一次上电前,锂电池与电路断开、维持保鲜状态
  • ±10% VCC工作范围(DS1230Y)
  • 可选择±5% VCC工作范围(DS1230AB)
  • 可选的-40°C至+85°C工业级温度范围,指定为IND
  • JEDEC标准的28引脚DIP封装
  • PowerCap模块(PCM)封装
    • 表面贴装模块
    • 可更换的即时安装PowerCap提供备份锂电池
    • 所有非易失SRAM器件提供标准引脚
    • 分离的PowerCap用常规的螺丝起子便可方便拆卸
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DS1230 256k非易失(NV) SRAM为262,144位、全静态非易失SRAM,按照8位、32,768字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路,控制电路连续监视VCC是否超出容差范围,一旦超出容差范围,锂电池便自动切换至供电状态、写保护将无条件使能、防止数据被破坏。DIP封装的DS1230器件可以用来替代现有的32k x 8静态RAM,符合通用的单字节宽、28引脚DIP标准。DIP器件还与28256 EEPROM的引脚匹配,可直接替换并增强其性能。小尺寸模块封装的DS1230器件专为表面贴装应用设计。该器件没有写次数限制,可直接与微处理器接口、不需要额外的支持电路。

产品模型 12

产品技术资料帮助

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