DS1230AB
量产256k非易失SRAM
- 产品模型
- 10
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概述
- 在没有外部电源的情况下最少可以保存数据10年
- 掉电期间数据被自动保护
- 替代32k x 8易失静态RAM、EEPROM或闪存
- 没有写次数限制
- 低功耗CMOS操作
- 70ns的读写存取时间
- 第一次上电前，锂电池与电路断开、维持保鲜状态
- ±10% VCC工作范围(DS1230Y)
- 可选择±5% VCC工作范围(DS1230AB)
- 可选的-40°C至+85°C工业级温度范围，指定为IND
- JEDEC标准的28引脚DIP封装
- PowerCap模块(PCM)封装
- 表面贴装模块
- 可更换的即时安装PowerCap提供备份锂电池
- 所有非易失SRAM器件提供标准引脚
- 分离的PowerCap用常规的螺丝起子便可方便拆卸
DS1230 256k非易失(NV) SRAM为262,144位、全静态非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否超出容差范围，一旦超出容差范围，锂电池便自动切换至供电状态、写保护将无条件使能、防止数据被破坏。DIP封装的DS1230器件可以用来替代现有的32k x 8静态RAM，符合通用的单字节宽、28引脚DIP标准。DIP器件还与28256 EEPROM的引脚匹配，可直接替换并增强其性能。小尺寸模块封装的DS1230器件专为表面贴装应用设计。该器件没有写次数限制，可直接与微处理器接口、不需要额外的支持电路。
参考资料
数据手册 2
可靠性数据 1
应用笔记 1
设计笔记 5
技术文章 1
ADI 始终高度重视提供符合最高质量和可靠性水平的产品。我们通过将质量和可靠性检查纳入产品和工艺设计的各个范围以及制造过程来实现这一目标。出货产品的“零缺陷”始终是我们的目标。查看我们的质量和可靠性计划和认证以了解更多信息。
| 产品型号 | 引脚/封装图-中文版 | 文档 | CAD 符号，脚注和 3D模型 |
|---|---|---|---|
| DS1230AB-100+ | Encapsulated Dual-In-Line Module | ||
| DS1230AB-120+ | Encapsulated Dual-In-Line Module | ||
| DS1230AB-120IND+ | Encapsulated Dual-In-Line Module | ||
| DS1230AB-150+ | Encapsulated Dual-In-Line Module | ||
| DS1230AB-200+ | Encapsulated Dual-In-Line Module | ||
| DS1230AB-70+ | Encapsulated Dual-In-Line Module | ||
| DS1230AB-70IND+ | Encapsulated Dual-In-Line Module | ||
| DS1230AB-85+ | Encapsulated Dual-In-Line Module | ||
| DS1230ABP-100+ | PowerCap Module | ||
| DS1230ABP-70+ | PowerCap Module |
| 产品型号 | 产品生命周期 | PCN |
|---|---|---|
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9月 29, 2015 - 1479K ASSEMBLY |
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| DS1230AB-100+ | 量产 | |
| DS1230AB-120+ | 量产 | |
| DS1230AB-120IND+ | 量产 | |
| DS1230AB-150+ | 量产 | |
| DS1230AB-200+ | 量产 | |
| DS1230AB-70+ | 量产 | |
| DS1230AB-70IND+ | 量产 | |
| DS1230AB-85+ | 量产 | |
这是最新版本的数据手册
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