概览
优势和特点
- 低噪声（0.1 Hz至10 Hz）
ADR420: 1.75 μV 峰峰值
ADR421: 1.75 μV 峰峰值
ADR423: 2.0 μV峰峰值
ADR425: 3.4 μV峰峰值 - 低温度系数：3 ppm/°C
- 长期稳定性：50 ppm/1000小时
- 负载调整率：70 ppm/mA
- 电压调整率：35 ppm/V
- 低迟滞：40 ppm（典型值）
- 宽工作电压范围
ADR420: 4 V 至 18 V
ADR421: 4.5 V 至18 V
ADR423: 5 V 至18 V
ADR425: 7 V 至 18 V - 静态电流：0.5 mA（最大值）
- 高输出电流：10 mA
- 宽温度范围：−40°C至+125°C
产品详情
ADR42x系列为超精密、第二代外加离子注入场效应管(XFET)基准电压源，具有低噪声、高精度和出色的长期稳定特性，采用SOIC和MSOP封装。利用温度漂移曲率校正专利技术和XFET技术，可以使电压随温度变化的非线性度降至低点。XFET架构能够为带隙基准电压源提供出色的精度和热滞性能。与嵌入式齐纳二极管基准电压源相比，还能以更低的功耗和更小的电源裕量工作。
ADR42x具有出色的噪声性能、稳定性和精度，适合光纤网络和医疗设备等精密转换应用。此外还可利用其调整引脚，在±0.5%范围内调整输出电压，其它性能则不受影响。ADR42x系列分为两种电气等级，额定温度范围为−40°C至+125°C扩展工业温度范围，提供8引脚SOIC封装或8引脚MSOP封装（后者比前者小30%）。
应用
数据手册, Rev. H, 6/07
产品生命周期
量产
该产品系列中至少有一个型号已量产并可供采购。该产品适合用于新设计，但也可能有更新的替代产品。
参考资料
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AN-348: 避开无源元件的陷阱8/16/2013PDF931 kB
-
CN-015111/18/2010PDF736 kB
-
使用ADF7030-1演示超低功耗6LoWPan无线传感器10/19/2021 -
ADA4530-1静电计运算放大器：测量fA电流8/20/2021
设计资源
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| Part Number | Material Declaration | Reliability Data | Pin/Package Drawing | CAD Symbols, Footprints & 3D Models |
|---|---|---|---|---|
| ADR425ARMZ | 材料声明 | 质量和可靠性 | 8-Lead MSOP | |
| ADR425ARMZ-REEL7 | 材料声明 | 质量和可靠性 | 8-Lead MSOP | |
| ADR425ARZ | 材料声明 | 质量和可靠性 | 8-Lead SOIC | |
| ADR425ARZ-REEL7 | 材料声明 | 质量和可靠性 | 8-Lead SOIC | |
| ADR425BRZ | 材料声明 | 质量和可靠性 | 8-Lead SOIC | |
| ADR425BRZ-REEL7 | 材料声明 | 质量和可靠性 | 8-Lead SOIC | |
| Wafer Fabrication Data |
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