ADG774
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ADG774

2.2 Ω、宽带宽、低压、四通道单刀双掷开关

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特性
  • 低插入损耗和导通电阻:2.2 Ω(典型值)
  • 导通电阻平坦度:< 2 Ω
  • 带宽:> 200 MHz
  • 3 V/5 V单电源供电
  • 轨到轨工作
  • 极低失真:< 1%
  • 低静态电源电流:
    100 nA(典型值)
  • 快速开关时间
    - 接通时间tON: 10 ns
    - 断开时间tOFF :4 ns
  • TTL/CMOS 兼容型

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ADG774是一款单芯片CMOS器件,内置四个2:1多路复用器/解复用器,提供高阻抗输出。它采用CMOS工艺设计,具有低功耗、高开关速度和低导通电阻特性。导通电阻变化通常小于0.5 Ω,输入信号范围为0 V至5 V。带宽大于200 MHz,而且具有低失真(典型值为0.5%)性能,因而适合快速以太网信号切换应用。导通电阻曲线在整个模拟输入范围都非常平坦,可确保切换音频信号时拥有出色的线性度和低失真性能。较快的开关速度及高信号带宽,使之也适合视频信号切换应用。CMOS结构可确保功耗极低,因而这种器件非常适合便携式和电池供电仪表。

产品技术资料帮助

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参考资料

产品型号 引脚/封装图-中文版 文档 CAD 符号,脚注和 3D模型
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PCN

8月 26, 2010

- 10_0001

Halogen Free Material Change for QSOP Products

ADG774BRQZ

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ADG774BRQZ-REEL

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ADG774BRQZ-REEL7

量产

2月 8, 2010

- 04_0080

Qualification of the 8" C6 and Q Wafer Fab Processes at Analog Devices, Limerick, Ireland.

ADG774BRQZ

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ADG774BRZ

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3月 25, 2021

- 21_0080

Amkor Philippines as an Alternate Site for SOICN

ADG774BRZ

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ADG774BRZ-REEL7

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2月 6, 2014

- 13_0234

Qualification of ASE Chungli, as an Alternate Assembly Site for Select 16L SOICN Packages

10月 5, 2010

- 10_0146

Halogen Free Material Change for 14/16L SOIC_N Products

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