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概览

优势和特点

  • 电源关闭时所有开关断开
  • 如果发生过压,接通通道的模拟输出将箝位在电源电压范围内
  • 无闩锁设计
  • 故障和过压保护:-40 V、+55 V
  • 快速开关时间
    接通时间:250 ns(最大值)
    断开时间:150 ns(最大值)
  • 先开后合式开关动作
  • TTL和CMOS兼容型输入

产品详情

ADG438F和ADG439F均为CMOS模拟多路复用器;ADG438F内置8个单通道,ADG439F内置4个差分通道,而且均可提供故障保护。这些器件采用串联n沟道、p沟道和n沟道MOSFET结构,发生过压或失电时,器件与信号源均会受到保护。该多路复用器可以承受-40 V至+55 V的连续过压输入。在故障条件下,当电源关闭时,多路复用器输入(或输出)表现为开路,泄漏电流只有几nA。这样,不但可以保护多路复用器及其所驱动的电路,而且可以保护驱动多路复用器的传感器或信号源。

ADG438F根据3位二进制地址线A0、A1和A2所确定的地址,将8路输入之一切换至公共输出。ADG439F根据2位二进制地址线A0和A1所确定的地址,将4路差分输入之一切换至公共差分输出。各器件均提供EN输入,用来使能或禁用器件。禁用时,所有通道均关断。

产品聚焦
  • 故障保护。ADG438F和ADG439F可以耐受最大−40 V或+55 V的连续电压输入。当因电源关闭而发生故障时,所有通道均关闭,泄漏电流仅有几nA。
  • 存在故障时,接通通道饱和。
  • 低导通电阻。
  • 快速开关时间。
  • 先开后合式开关动作。保证先开后合式开关动作,从而保护输入信号不受瞬时短路影响。
  • 沟道隔离可消除闩锁。电介质沟道将p沟道与n沟道MOSFET分开,从而有效防止闩锁现象。
  • 改进关断隔离。沟道隔离增强了ADG438F/ADG439F的通道间隔离性能。
应用
  • 数据采集系统
  • 工业和过程控制系统
  • 航空电子测试设备
  • 系统间信号路由
  • 高可靠性控制系统

产品生命周期 icon-recommended 量产

该产品系列中至少有一个型号已量产并可供采购。该产品适合用于新设计,但也可能有更新的替代产品。

设计资源

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