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英文数据手册 Rev. B
(产品技术资料帮助）

概览

优势和特点

  • 最大额定电源电压：44 V
  • 模拟信号范围：± 15 V
  • 低导通电阻：60（最大值）
  • 低泄漏：0.5 nA（典型值）
  • 先开后合式开关动作
  • 扩展塑性温度范围：
    -40ºC至+85ºC
  • 低功耗：22.5 mW
  • TTL/CMOS 兼容型
  • 绝佳的DG201A/HI201替代产品
  • 16引脚DIP/SOIC封装

产品详情

ADG221和ADG222均为单芯片CMOS器件，内置四个独立可选的开关。片内锁存器有利于与微处理器实现接口。这些开关采用增强型LC2MOS工艺设计，信号处理能力提高到±15 V，同时还具有高开关速度和低导通电阻(RON)特性。

ADG221和ADG222均内置四个单刀单掷（SPST）开关。两者的不同是数字控制逻辑相反。所有器件均为先开后合式。设计本身具有低电荷注入特性，当开关数字输入时，可实现较小的瞬变。

产品分类

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参考资料

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  • 数据手册 (1)
  • 应用笔记 (2)
  • 产品选型手册 (1)
  • 技术文章 (3)
    • Document Type

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    Part Number Material Declaration Reliability Data Pin/Package Drawing CAD Symbols, Footprints & 3D Models
    ADG221KNZ 材料声明 质量和可靠性 16-Lead PDIP
    ADG221KPZ 材料声明 质量和可靠性 20-Lead Flatpack
    ADG221KRZ 材料声明 质量和可靠性 16-Lead SOIC
    Wafer Fabrication Data

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    • ADG221KRZ 量产

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