概览
优势和特点
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产品详情
ADG1201/ADG1202是单芯片互补金属氧化物半导体（CMOS）器件，内置一个采用iCMOS®（工业CMOS）工艺设计的单刀单掷（SPST）开关。iCMOS是一种模块式制造工艺，集高电压CMOS与双极性技术于一体。利用这种工艺，可以开发工作电压达33 V的各种高性能模拟IC，并实现以往的高压器件所无法实现的尺寸。与采用传统CMOS工艺的模拟IC不同iCMOS器件不但可以承受高电源电压，同时还能提升性能、大幅降低功耗并减小封装尺寸。
这些开关具有超低电容和电荷注入特性，因而是要求低突波和快速建立时间的数据采集与采样保持应用的理想解决方案。较快的开关速度及高信号带宽，使这些器件适合视频信号切换应用。
iCMOS结构可确保功耗极低，因而这些器件非常适合便携式电池供电仪表。ADG1201/ADG1202内置一个单刀单掷（SPST）开关。图1显示，当逻辑输入为1时，ADG1201开关闭合，ADG1202开关则断开。当接通时，各开关在两个方向的导电性能相同，输入信号范围可扩展至电源电压范围。在断开条件下，等于电源电压的信号电平被阻止。
产品聚焦
- 超低电容
- 电荷注入小于1 pC
- 超低泄漏
- 3 V逻辑兼容数字输入：VIH = 2.0 V，VIL = 0.8 V
- 无需VL逻辑电源
- SOT-23封装
应用
数据手册，Rev. 0，2/08
产品生命周期
量产
该产品系列中至少有一个型号已量产并可供采购。该产品适合用于新设计，但也可能有更新的替代产品。
评估套件 (1)
参考资料
设计资源
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| Part Number | Material Declaration | Reliability Data | Pin/Package Drawing | CAD Symbols, Footprints & 3D Models |
|---|---|---|---|---|
| ADG1201BRJZ-R2 | 材料声明 | 质量和可靠性 | 6-Lead SOT-23 | |
| ADG1201BRJZ-REEL7 | 材料声明 | 质量和可靠性 | 6-Lead SOT-23 | |
| Wafer Fabrication Data |
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