Добавить в Мастер Структурных Схем

ADG636:  1 pC Charge Injection, 100 pA Leakage, CMOS, ±5 V/+5 V/+3 V Dual SPDT Switch

Информация о продукте

Статус продукта:Производство

The ADG636 is a monolithic device, comprising two indepen-dently selectable CMOS single pole, double throw (SPDT) switches. When on, each switch conducts equally well in both directions.

The ADG636 operates from a dual ±2.7 V to ±5.5 V supply, or from a single supply of +2.7 V to +5.5 V.

This switch offers ultralow charge injection of ±1.5 pC over the entire signal range and leakage current of 10 pA typical at 25°C. In addition, it offers on resistance of 85 Ω typical, which is matched to within 2 Ω between channels. The ADG636 also has low power dissipation yet is capable of high switching speeds.

The ADG636 exhibits break-before-make switching action and is available in a 14-lead TSSOP package.

Product Highlights

  1. Ultralow charge injection. QINJ: ±1.5 pC typical over the full signal range
  2. Leakage current <0.25 nA maximum at 85°C
  3. Dual ±2.7 V to ±5 V or single +2.7 V to +5.5 V supply
  4. Automotive temperature range: −40°C to +125°C
  5. Small 14-lead TSSOP package

Applications

  • Automatic test equipment
  • Data acquisition systems
  • Battery-powered instruments
  • Communication systems
  • Sample-and-hold systems
  • Remote-powered equipment
  • Audio and video signal routing
  • Relay replacement
  • Avionics

ОСОБЕННОСТИ И ПРЕИМУЩЕСТВА

  • 1 pC Charge Injection
  • ±2.7 V to ±5.5 V Dual Supply
  • +2.7 V to +5.5 V Single Supply
  • Automotive Temperature Range:
    –40°C to +125°C
  • 100 pA (Maximum @ 25°C) Leakage Currents
  • 85 Ω Typical On Resistance
  • Rail-to-Rail Operation
  • Fast Switching Times
  • Typical Power Consumption (<0.1 µW)
  • TTL/CMOS Compatible Inputs
  • 14-Lead TSSOP Package

Functional Block Diagram for ADG636

Документация

Наименование Тип контента Тип файлов
ADG636: 1 pC Charge Injection, 100 pA Leakage, CMOS ±5 V/+5 V/+3 V Dual SPDT Switch Data Sheet (Rev B, 09/2009) (pdf, 149 kB) Технические описания PDF
Data-acquisition system uses fault protection
By Catherine Redmond, Analog Devices, Inc. (EDN, 4/15/2004)
Технические статьи HTML
CMOS Switches Offer High Performance in Low Power, Wideband Applications  (pdf, 320 kB)
by Theresa Corrigan and Ray Goggin, Analog Devices, Inc. (High Frequency Electronics, February 2004)
Технические статьи PDF
Temperature monitor measures three thermal zones
by Susan Pratt, Analog Devices, Inc. (EDN, 12/11/03)
Технические статьи HTML
Enhanced Multiplexing for MEMS Optical Cross Connects
by James Caffrey (Fiberoptic Product News, 8/2003)
Технические статьи HTML
Switches and Multiplexers Product Selection Guide  (pdf, 1462 kB) Product Selection Guide PDF
Switch Parametric Search Product Selection Guide HTML
RAQs index Rarely Asked Questions HTML
Словарь терминов Глоссарий HTML

Оценочные наборы, обозначения компонентов и шаблоны посадочных мест на ПП

Обозначения и посадочные места— Analog Devices предлагает библиотеки компонентов, совместимые с широким спектром современных САПР.

SampleОбразцы / Покупка

Цены, исполнение ИМС, наличие на складе

Помощь

Приведенные цены действительны в США и указаны только для примерного бюджетного рассчета. Цены указаны в долларах США (за штуку в указанном размере партии) и могут быть изменены. Цены в других регионах могут отличаться в зависимости от местных пошлин, налогов, сборов и курсов валют. Для уточнения стоимости обращайтесь в местные офисы продаж Analog Devices, или к официальным дистрибьюторам. Цены на оценочные платы и наборы указаны за штуку независимо от количества.

沪ICP备09046653号
Review this Product X
content here.
content here.

Review this Product

Закрыть