DS2045L

3.3V、单芯片、1Mb非易失SRAM

数据手册 (Rev. 3)
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概述

  • 单芯片、可回流焊接的27mm x 27mm BGA封装
  • 内置ML电池和充电器
  • VCC超出容限范围后，对SRAM进行无条件的写保护
  • VCC电源失效后，自动切换到电池供电
  • 内部电源监控电路，检查电源是否低于标称VCC (3.3V)
  • 复位输出可用于CPU监控
  • 工业级温度范围(-40°C至+85°C)

DS2045L是1Mb、可进行回流焊接的非易失(NV) SRAM，由静态RAM (SRAM)、NV控制器和内部可充电锂锰(ML)电池构成。这些元件封装在表贴模块内，采用256焊球BGA封装。模块的VCC上电后，ML电池开始充电，SRAM由外部电源供电，可以修改SRAM内容。VCC断电或超出容限范围时，控制器对SRAM的内容进行写保护，并由电池对SRAM供电。DS2045L还带有电源监测输出、/RST指示，复位输出可用于CPU监控功能。

应用

  • 数据采集系统
  • 烟雾报警器
  • 游戏机
  • 工业控制器
  • PLC
  • POS终端
  • RAID系统和服务器
  • 路由器/交换机
DS2045L
3.3V、单芯片、1Mb非易失SRAM
DS2045L：典型工作电路
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部分模型 产品周期 描述
存储器和数据记录器 3
DS2030W
3.3V、单芯片、256kb非易失SRAM
DS2045W
3.3V、单芯片、1Mb非易失SRAM
DS2030L
3.3V、单芯片、256kb非易失SRAM
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