DS2030L

3.3V、单芯片、256kb非易失SRAM

数据手册 (Rev. 3)
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概述

  • 单片、可回流焊、27mm x 27mm BGA封装
  • 内置锂锰电池和充电器
  • VCC超出容限后，无条件地对SRAM加以写保护
  • VCC电源失效时，自动切换至电池供电
  • 内部电源监视器探测低于正常VCC (3.3V)的电源失效
  • 复位输出可用作微处理器的CPU监控器
  • 工业级温度范围(-40°C至+85°C)

DS2030L是一款256kb、兼容回流焊工艺的非易失(NV) SRAM，由一个静态RAM (SRAM)，一个NV控制器和一个内部可充电锂锰电池(ML)构成。这些元件封装在一个256球BGA表面贴模块中。当VCC加在模块上时，它即对ML电池充电，SRAM也由外部电源来供电，同时允许修改SRAM的内容。当VCC掉电或超出容限时，控制器对SRAM的内容写保护，同时改由电池对SRAM供电。DS2030L还含有一个电源监视输出，/RST，可用作微处理器的CPU监控器。

应用

  • 数据采集系统
  • 烟雾报警器
  • 游戏机
  • 工业控制器
  • PLC
  • POS终端
  • RAID系统和服务器
  • 路由器/交换机
DS2030L
3.3V、单芯片、256kb非易失SRAM
DS2030L：典型工作电路
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部分模型 产品周期 描述
存储器和数据记录器 3
DS2030W
3.3V、单芯片、256kb非易失SRAM
DS2045W
3.3V、单芯片、1Mb非易失SRAM
DS2045L
3.3V、单芯片、1Mb非易失SRAM
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