MXD1210

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不揮発性RAMコントローラ

データシート (Rev. 2)
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本データシートの英語以外の言語への翻訳はユーザの便宜のために提供されるものであり、リビジョンが古い場合があります。最新の内容については、必ず最新の英語版をご参照ください。

なお、日本語版のデータシートは基本的に「Rev.0」（リビジョン0）で作成されています。そのため、英語版が後に改訂され、複数製品のデータシートがひとつに統一された場合、同じ「Rev.0」の日本語版のデータシートが異なる製品のデータシートとして表示されることがあります。たとえば、「ADM3307E」の場合、日本語データシートをクリックすると「ADM3311E」が表示されます。これは、英語版のデータシートが複数の製品で共有できるように1本化され、「ADM3307E/ADM3310E/ADM3311E/ADM3312E/ADM3315E」（Rev.J）と改訂されたからで、決して誤ってリンクが張られているわけではありません。和文化されたデータシートを少しでも有効に活用していただくためにこのような方法をとっておりますので、ご了解ください。

アナログ・デバイセズ社は、提供する情報が正確で信頼できるものであることを期していますが、その情報の利用に関して、あるいはその利用によって生じる第三者の特許やその他の権利の侵害に関して一切の責任を負いません。また、アナログ・デバイセズ社の特許または特許の権利の使用を明示的または暗示的に許諾するものでもありません。仕様は予告なしに変更する場合があります。本紙記載の商標および登録商標は、各社の所有に属します。
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製品情報

  • バッテリバックアップ
  • メモリ書込み保護
  • 動作モード時の自己消費電流：230µA
  • バックアップモード時の自己消費電流：2nA
  • バッテリフレッシュネスシール
  • 冗長バッテリ(オプション)
  • VCC電源スイッチの低順方向電圧ドロップ
  • パワーフェイル検出オプション：5%または10%
  • パワーアップ時のバッテリ状態をテスト
  • 8ピンSO入手可能

不揮発性RAMコントローラMXD1210は超低電力CMOS回路であり、標準(揮発性) CMOS RAMを不揮発性メモリに変換します。この製品は常に電源を監視し、RAMへの供給電力が許容範囲外になった場合にRAMに対する書込み保護を提供します。電源が低下し始めるとRAMは書込み保護され、このデバイスはバッテリバックアップモードに切り替わります。

アプリケーション

  • µP制御システム
  • コンピュータ：デスクトップ、ワークステーション、サーバ
  • 組込みシステム
MXD1210
不揮発性RAMコントローラ
MXD1210：標準動作回路
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