製品概要

機能と利点

  • 低オフセット電圧: 50 µV(最大値)
  • 低ノイズ電圧:
    1.0 nV/√Hz(最大値)(100 Hz、1 mA の場合)
  • 高ゲイン(hFE):
    500(最小値)(IC = 1 mA 時)
    300(最小値)(IC = 1 µA 時)
  • 優れた対数適合度:
  • rBE = 約 0.3 Ω
  • 低オフセット電圧ドリフト
  • LM194 の改良互換品

製品概要

MAT02 シリーズの NPN デュアル・モノリシック・トランジスタの設計は、超低ノイズ、低ドリフト、および低 rBE になるように最適化されています。アナログ・デバイセズ独自のシリコン窒化膜「トリプル・パッシベーション」プロセスにより、広い温度範囲と経過時間にわたり、重要なデバイス・パラメータを安定化します。また、MAT02S では、広範囲のコレクタ電流にわたって高電流ゲイン(hFE)が維持されます。非常に優れた特性を持つ MAT02S は、最大 50 µV のオフセット電圧を実現します。デバイス性能は全ミリタリ温度範囲で仕様規定されています。

入力保護ダイオードがエミッタ・ベース接合間に実装されており、逆バイアスされたエミッタ電流に起因するデバイス特性の劣化を防ぎます。基板は、保護ダイオードによって生じる寄生絶縁接合によって最も負のエミッタにクランプされます。このため、トランジスタ間は完全に絶縁されます。

MAT02S は、低ノイズが優先されるアプリケーションでの使用に最適です。MAT02S を入力段に使用することで、100 Hz でのノイズ電圧が 1.0 nV/Hz 未満のアンプを製作することができます。対数/逆対数回路などの他のアプリケーションでは、MAT02S の優れた対数適合度を利用することができます。代表的なバルク抵抗は、わずか 0.3Ω ~ 0.4Ω です。1 µA ~ 10 mA の範囲のコレクタ電流で動作させると、MAT02S の電気的特性は理想的なトランジスタの電気的特性に近づきます。

製品ライフサイクル icon-recommended 製造中

この製品ファミリーの1つ以上の型番が生産/供給中です。新規の設計に適していますが、より新しい代替製品を提供している場合があります。

設計リソース

ADI has always placed the highest emphasis on delivering products that meet the maximum levels of quality and reliability. We achieve this by incorporating quality and reliability checks in every scope of product and process design, and in the manufacturing process as well.  "Zero defects" for shipped products is always our goal.

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