MAT02S

MAT02 シリーズの NPN デュアル・モノリシック・トランジスタの設計は、超低ノイズ、低ドリフト、および低 r_BE になるように最適化されています。アナログ・デバイセズ独自のシリコン窒化膜「トリプル・パッシベーション」プロセスにより、広い温度範囲と経過時間にわたり、重要なデバイス・パラメータを安定化します。また、MAT02S では、広範囲のコレクタ電流にわたって高電流ゲイン（h_FE）が維持されます。非常に優れた特性を持つ MAT02S は、最大 50 µV のオフセット電圧を実現します。デバイス性能は全ミリタリ温度範囲で仕様規定されています。

入力保護ダイオードがエミッタ・ベース接合間に実装されており、逆バイアスされたエミッタ電流に起因するデバイス特性の劣化を防ぎます。基板は、保護ダイオードによって生じる寄生絶縁接合によって最も負のエミッタにクランプされます。このため、トランジスタ間は完全に絶縁されます。

MAT02S は、低ノイズが優先されるアプリケーションでの使用に最適です。MAT02S を入力段に使用することで、100 Hz でのノイズ電圧が 1.0 nV/Hz 未満のアンプを製作することができます。対数／逆対数回路などの他のアプリケーションでは、MAT02S の優れた対数適合度を利用することができます。代表的なバルク抵抗は、わずか 0.3Ω ～ 0.4Ω です。1 µA ～ 10 mA の範囲のコレクタ電流で動作させると、MAT02S の電気的特性は理想的なトランジスタの電気的特性に近づきます。