LTC1157

製造中

3.3Vデュアル・マイクロパワーハイサイド/ローサイドMOSFETドライバ

利用上の注意

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なお、日本語版のデータシートは基本的に「Rev.0」(リビジョン0)で作成されています。そのため、英語版が後に改訂され、複数製品のデータシートがひとつに統一された場合、同じ「Rev.0」の日本語版のデータシートが異なる製品のデータシートとして表示されることがあります。たとえば、「ADM3307E」の場合、日本語データシートをクリックすると「ADM3311E」が表示されます。これは、英語版のデータシートが複数の製品で共有できるように1本化され、「ADM3307E/ADM3310E/ADM3311E/ADM3312E/ADM3315E」(Rev.J)と改訂されたからで、決して誤ってリンクが張られているわけではありません。和文化されたデータシートを少しでも有効に活用していただくためにこのような方法をとっておりますので、ご了解ください。

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製品情報

  • 最低損失で3.3V電源の切替えが可能
  • 標準3.3Vまたは5V電源で動作
  • 3μAの待機時消費電流
  • 80μA動作時消費電流
  • 低コストNチャンネル・パワーMOSFETをドライブ可能
  • チャージポンプ用外付け部品が不要
  • スイッチング・オンタイム/オフタイム調整可能
  • 3.3Vおよび5Vロジック・ファミリとコンパチブル
  • 8ピンSOICで供給可能

LTC1157デュアル3.3VマイクロパワーMOSFETゲート・ドライバは、低RDS(ON)のNチャネル・スイッチ(PチャネルMOSFETはVGS</=3.3VでRDS(ON)を保証していないためNチャネル・スイッチが必要です)を通して、電源またはグランドを基準とする負荷を切り替えることができます。LTC1157の内部チャージポンプはゲート・ドライブ電圧を正電源レールより5.4V高く(グランドから8.7V)昇圧し、3.3Vハイサイド・アプリケーション用のロジック・レベルNチャネル・スイッチおよび3.3Vローサイド・アプリケーション用の標準Nチャネル・スイッチを完全に導通させます。5Vでのゲート・ドライブ電圧は、標準で電源から8.8V高くなる(グランドから13.8V)ため、標準NチャネルMOSFETスイッチをハイサイドおよびローサイド・アプリケーションの両方に使用することができます。

LTC1157は待機時電流が3μA、動作時電流が80μAのマイクロパワー動作となっていますので、バッテリ電源アプリケーションに最適です。

LTC1157は8ピンDIPおよびSOICの両方で供給されます。


Applications
  • ノート型コンピュータのパワー・マネージメント
  • パームトップ型コンピュータのパワー・マネージメント
  • Pチャンネル・スイッチとの置換え
  • バッテリの充電と管理
  • 5Vおよび3.3V電源のスイッチング
  • ステッパ・モータおよびDCモータの制御
  • セルラー電話およびポケットベル

LTC1157
3.3Vデュアル・マイクロパワーハイサイド/ローサイドMOSFETドライバ
Ultra Low Voltage Drop 3.3V Dual High-Side Switch Gate Voltage Above Supply Product Package 1 Product Package 2
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  • LTC1157
LTspice

LTspice®は、無料で提供される強力で高速な回路シミュレータと回路図入力、波形ビューワに改善を加え、アナログ回路のシミュレーションを容易にするためのモデルを搭載しています。

 

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