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製品概要

機能と利点

  • ゲイン: 22 dB(代表値)
  • 広いゲイン制御範囲: 15 dB(代表値)
  • 出力 3 次インターセプト・ポイント(OIP3): 30 dBm(代表値)
  • 1 dB 圧縮ポイント(P1dB)の出力電力: 21 dBm(代表値) 
  • 飽和出力電力(PSAT): 22 dBm(代表値)
  • DC電源: 4 V/250 mA 
  • 外部マッチング不要 
  • ダイ・サイズ: 3.599 mm x 1.369 mm x 0.05 mm

製品概要

HMC8120 は、統合型 E バンド・ガリウム・ヒ素(GaAs)擬似格子整合型HEMT(pHEMT)モノリシック・マイクロ波集積回路(MMIC)の可変ゲイン・アンプおよびドライバ・アンプで、動作範囲は 71 GHz ~ 76 GHz です。HMC8120 は、ゲインが最大 22 dB、出力 P1dB が 21 dBm、OIP3 が 30 dBm、PSAT が 22 dBm であり、4 V 電源から 250 mA しか必要としません。2 つのゲイン制御電圧(VCTL1 および VCTL2)が備わっており、最大 15 dB まで可変ゲインを制御できます。HMC8120 は直線性が優れており、E バンド通信および大容量のワイヤレス・バックホール無線システム用に最適化されています。全てのデータは、各ポートに幅 3 mil、厚さ 0.05 mil、長さ 7 mil のリボンを使用し、チップを 50 Ω 試験装置に接続して測定したものです。

アプリケーション

  • E バンド通信システム
  • 大容量ワイヤレス・バックホール無線システム
  • 試験および計測

製品カテゴリ

製品ライフサイクル icon-recommended 新規設計にお薦めします

発売済みの製品です。データシートには、最終的な仕様と動作条件がすべて記載されています。新規の設計には、これらの製品の使用を推奨します。

ツール

設計ツール

ADIsimRF

アナログ・デバイセズのADIsimRF設計ツールは、カスケード・ゲインやノイズ指数、IP3、P1dB、総合消費電力などRFシグナル・チェーン内の最も重要なパラメータの計算を行います。

設計リソース

アナログ・デバイセズでは、最高レベルの品質と信頼性を備えた製品を提供することに最大の力を常に注いでいます。これを実現するため、製品およびプロセスの設計のあらゆる観点で品質と信頼性のチェックを行っています。そして、それは、製造工程においても同様です。アナログ・デバイセズは常に、出荷製品の「ゼロ・ディフェクト」を目指しています。

サンプル&購入

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