製品概要
機能と利点
- 変換ゲイン: 18 dBm(代表値)
- サイドバンド除去比: 30 dBc(代表値)
- 1 dB 圧縮ポイント(P1dB)の入力電力: 2 dBm(代表値)
- 出力 3 次インターセプト・ポイント(OIP3): 33 dBm(代表値)
- RFOUT での局部発振器(LO)の 2 倍の周波数のリーク: 10 dBm(代表値)
- IF 入力での LO の 2 倍の周波数のリーク: -25 dBm(代表値)
- RF リターン損失: 13 dB(代表値)
- LO リターン損失: 10 dB(代表値)
- 32 ピン、5 mm × 5 mm LFCSP パッケージ
製品概要
HMC7911 は、小型のガリウム・ヒ素(GaAs)擬似格子整合型HEMT(pHEMT)モノリシック・マイクロ波集積回路(MMIC)アップコンバータです。RoHS 準拠の低ストレス射出成形プラスチック LFCSP パッケージを採用しており、17 GHz ~ 20 GHz で動作します。30 dBc のサイドバンド除去比で 18 dB の小信号変換ゲインを実現します。また、局部発振器(LO)のアクティブ 2 逓倍器で駆動する同相/直交(I/Q)ミキサーを前段に接続した可変ゲイン・アンプを使用しています。IF1 ミキサー入力と IF2 ミキサー入力があり、必要な側波帯を選択するのに外部 90°ハイブリッドを必要とします。この I/Q ミキサー・トポロジーにより、不要な側波帯をフィルタリングする必要性が低減されます。HMC7911 は、ハイブリッド型単側波帯(SSB)アップコンバータ・アセンブリよりはるかに小さい代替デバイスです。また、表面実装製造技術を使用できるので、ワイヤ・ボンディングが不要です。
アプリケーション- ポイント to ポイントおよびポイント to マルチポイント無線
- 防衛用レーダー、電子戦(EW)、および電子諜報(ELINT)
- 衛星通信
- 各種センサー
製品ライフサイクル
新規設計にお薦めします
発売済みの製品です。データシートには、最終的な仕様と動作条件がすべて記載されています。新規の設計には、これらの製品の使用を推奨します。
評価キット (1)
参考資料
ツールおよびシミュレーション
S-Parameters
設計ツール
アナログ・デバイセズのADIsimRF設計ツールは、カスケード・ゲインやノイズ指数、IP3、P1dB、総合消費電力などRFシグナル・チェーン内の最も重要なパラメータの計算を行います。
設計リソース
アナログ・デバイセズでは、最高レベルの品質と信頼性を備えた製品を提供することに最大の力を常に注いでいます。これを実現するため、製品およびプロセスの設計のあらゆる観点で品質と信頼性のチェックを行っています。そして、それは、製造工程においても同様です。アナログ・デバイセズは常に、出荷製品の「ゼロ・ディフェクト」を目指しています。詳細についてはアナログ・デバイセズの品質および信頼性プログラム/認定証をご覧ください。
製品番号 | 材料宣誓書(MD) | 信頼性データ | ピン/パッケージ図 | CADシンボル、フットプリント & 3Dモデル |
---|---|---|---|---|
HMC7911LP5E | 材料宣誓書(MD) | 信頼性データ | 32-Lead QFN (5mm x 5mm w/ EP) | |
HMC7911LP5ETR | 材料宣誓書(MD) | 信頼性データ | 32-Lead QFN (5mm x 5mm w/ EP) | |
ウェハ・ファブリケーション・データ |
サポート & ディスカッション
HMC7911 Discussions
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