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特長
- 外部電源なしで最低5年間データ保持
- 停電中のデータ自動保護
- 無制限の書込みサイクル
- 低電力CMOS動作
- 100nsの読取り/書込みアクセス時間
- 電源初期投入まで、リチウムバッテリを電気的に切断
- オプションとして-40℃～+85℃の工業用温度範囲(IND)
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16Mb不揮発性(NV) SRAMのDS1270Wは、16,777,216ビット(2,097,152ワード x 8ビット構成)の完全スタティックNV SRAMです。各NV SRAMは、リチウムバッテリと制御回路を内蔵し、これらによってVCCの許容範囲からの外れを常に監視します。VCCが許容範囲から外れると、リチウムバッテリが自動的にオンになり、書込み保護が無条件に有効になりデータ破壊が防止されます。実行可能な書込みサイクル数に制限がなく、マイクロプロセッサとのインタフェースには回路の追加の必要はありません。
アプリケーション
- 自動試験装置(ATE)
- 自動料金メータ読取り器
- ビルエネルギー管理(HVAC)
- ケーブルモデム
- コンピュータ：デスクトップ、ワークステーション、サーバ
- デジタルテレビ(レシーバ、セットトップボックス)
- モデム(アナログ、ISDN、DSL)
- ネットワークハブ、交換機、ルータ
- ノートブックコンピュータ
- オシロスコープ
- プリンタおよびファックス
- プログラマブルロジックコントローラ
- ストレージシステム
- 試験および測定機器
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よく聞かれる質問（FAQ）
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DS1270W
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