DS1270Y
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16M不揮発性SRAM

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よく聞かれる質問(FAQ)

製品モデル 2
1Ku当たりの価格 最低価格:$204.05
特長
  • 外部電源なしで最低5年間データ保持
  • 停電中のデータ自動保護
  • 無制限の書込みサイクル
  • 低電力CMOS動作
  • 70nsの読取り/書込みアクセス時間
  • 電源初期投入まで、リチウムバッテリを電気的に切断
  • VCC ±10%の動作電圧範囲(DS1270Y)
  • オプションとしてVCC ±5%の動作電圧範囲(DS1270AB)
  • オプションとして-40℃~+85℃の工業用温度範囲(INDのサフィックス)
製品概要
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16M不揮発性SRAMのDS1270は、16,777,216ビット(2,097,152ワード x 8ビット構成)の完全スタティック不揮発性SRAMです。各NV SRAMは、リチウムバッテリと制御回路を内蔵し、これらによってVCCの許容範囲からの外れを常に監視します。VCCが許容範囲から外れると、リチウムバッテリが自動的にオンになり、書込み保護が無条件に有効になりデータ破壊が防止されます。実行可能な書込みサイクル数に制限がなく、マイクロプロセッサとのインタフェースには回路の追加の必要はありません。

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アナログ・デバイセズ社は、提供する情報が正確で信頼できるものであることを期していますが、その情報の利用に関して、あるいはその利用によって生じる第三者の特許やその他の権利の侵害に関して一切の責任を負いません。また、アナログ・デバイセズ社の特許または特許の権利の使用を明示的または暗示的に許諾するものでもありません。仕様は予告なしに変更する場合があります。本紙記載の商標および登録商標は、各社の所有に属します。


本データシートの英語以外の言語への翻訳はユーザの便宜のために提供されるものであり、リビジョンが古い場合があります。最新の内容については、必ず最新の英語版をご参照ください。

なお、日本語版のデータシートは基本的に「Rev.0」(リビジョン0)で作成されています。そのため、英語版が後に改訂され、複数製品のデータシートがひとつに統一された場合、同じ「Rev.0」の日本語版のデータシートが異なる製品のデータシートとして表示されることがあります。たとえば、「ADM3307E」の場合、日本語データシートをクリックすると「ADM3311E」が表示されます。これは、英語版のデータシートが複数の製品で共有できるように1本化され、「ADM3307E/ADM3310E/ADM3311E/ADM3312E/ADM3315E」(Rev.G)と改訂されたからで、決して誤ってリンクが張られているわけではありません。和文化されたデータシートを少しでも有効に活用していただくためにこのような方法をとっておりますので、ご了解ください。

ドキュメント

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アナログ・デバイセズは、最高レベルの品質と信頼性を満たす製品を供給することを常に最重要視しています。これを実現するため、製品、プロセス設計、更には製造プロセスに対しあらゆる観点から品質と信頼性のチェックを行っています。アナログ・デバイセズでは出荷製品に対する「ゼロ・ディフェクト」を常に目指しています。詳細については、アナログ・デバイセズの品質および信頼性プログラム、認証のページを参照してください。
製品モデル ピン/パッケージ図 資料 CADシンボル、フットプリント、および3Dモデル
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重置过滤器

製品モデル

製品ライフサイクル

PCN

10 2, 2015

- 1479L

ASSEMBLY

DS1270Y-70#

製造中

DS1270Y-70IND#

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製造中

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