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特長
  • 外部電源なしで最低10年間データ保持
  • 停電中のデータ自動保護
  • 無制限の書込みサイクル
  • 低電力CMOS動作
  • 100nsの読取り/書込みアクセス時間
  • 電源初期投入まで、リチウムバッテリを電気的に切断
  • オプションとして-40℃~+85℃の工業用温度範囲(IND)
製品概要
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8Mb不揮発性(NV) SRAMのDS1265Wは、8,388,608ビット(1,048,576ワード x 8ビット構成)の完全スタティックNV SRAMです。各NV SRAMは、リチウムバッテリと制御回路を内蔵し、これらによってVCCの許容範囲からの外れを常に監視します。VCCが許容範囲から外れると、リチウムバッテリが自動的にオンになり、書込み保護が無条件に有効になりデータ破壊が防止されます。実行可能な書込みサイクル数に制限がなく、マイクロプロセッサとのインタフェースには回路の追加の必要はありません。

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