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2675: 8M不揮発性SRAM Data Sheet (Rev. 3)1/1/1900PDF190K
製品概要
機能と利点
- 外部電源なしで最低10年間データ保持
- 停電中のデータ自動保護
- 無制限の書込みサイクル
- 低電力CMOS動作
- 70nsの読取り/書込みアクセス時間
- 電源初期投入まで、リチウムバッテリを電気的に切断
- VCC ±10%の動作電圧範囲(DS1265Y)
- オプションとしてVCC ±5%の動作電圧範囲(DS1265AB)
- オプションとして-40℃～+85℃の工業用温度範囲(INDのサフィックス)
製品概要
8M不揮発性SRAMのDS1265は、8,388,608ビット(1,048,576ワード x 8ビット構成)の完全スタティック不揮発性SRAMです。各NV SRAMは、リチウムバッテリと制御回路を内蔵し、これらによってVCCの許容範囲からの外れを常に監視します。VCCが許容範囲から外れると、リチウムバッテリが自動的にオンになり、書込み保護が無条件に有効になりデータ破壊が防止されます。実行可能な書込みサイクル数に制限がなく、マイクロプロセッサとのインタフェースには回路の追加の必要はありません。
製品カテゴリ
製品ライフサイクル
新規設計にお薦めします
発売済みの製品です。データシートには、最終的な仕様と動作条件がすべて記載されています。新規の設計には、これらの製品の使用を推奨します。
参考資料
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マキシム製品におけるリチウムバッテリ3/14/2011
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Substitution Rules for Nonvolatile Memory Components1/12/2011
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Low-Temperature Data Retention in Nonvolatile SRAM9/11/2008
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Timing Considerations When Using NVSRAM3/20/2006
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NV SRAM Frequently Asked Questions5/14/2002
設計リソース
アナログ・デバイセズでは、最高レベルの品質と信頼性を備えた製品を提供することに最大の力を常に注いでいます。これを実現するため、製品およびプロセスの設計のあらゆる観点で品質と信頼性のチェックを行っています。そして、それは、製造工程においても同様です。アナログ・デバイセズは常に、出荷製品の「ゼロ・ディフェクト」を目指しています。
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