製品概要

機能と利点

  • 6 A(代表値)ピーク・ドライブの出力機能
  • ターンオフ用内部N-FETのオン抵抗:<1Ω
  • ターンオン用内部P-FETのオン抵抗:<1.2Ω
  • 2 つの過電流保護方法
    • 非飽和の検出
    • 分割エミッタ過電流検出
  • ミラー・クランプ出力(ゲート・センス入力付き)
  • 絶縁型の故障出力
  • 絶縁型温度センサー・リードバック
  • 伝搬遅延
    • 立上がり:95 ns(代表値)
    • 立下がり:100 ns(代表値)
  • 最小パルス幅:74 ns
  • 動作ジャンクション温度範囲:−40°C ~ +150°C
  • VDD1 および VDD2 UVLO
  • 最小外部トラッキング(クリーページ):8.3 mm(申請中)
  • 安全性と規制に対する認定
    • 1 分間で 5000 V 実効値、UL 1577 規格に準拠
    • 「CSA Component Acceptance Notice 5A」に準拠
    • DIN V VDE V 0884-10 (VDE V 0884-10): 2006-12
      • VIORM = 849 VPEAK (強化/基本)
  • オートモーティブ・アプリケーション向けの性能を評価済み

製品概要

ADuM4138は、絶縁型ゲート・バイポーラ・トランジスタ(IGBT)の駆動用に最適化された 1 チャンネル・ゲート・ドライバです。入力信号と出力ゲート・ドライバ間の絶縁には、アナログ・デバイセズのiCoupler技術が使用されています。

アナログ・デバイセズのチップ・スケール・トランスを搭載しているので、チップの高電圧領域と低電圧領域間で制御情報の絶縁型通信も可能です。チップの状態に関する情報は、専用の出力から読み出すことができます。

ADuM4138 は絶縁型フライバック・コントローラが含まれており、単一二次側電圧が生成可能です。

過電流保護は非飽和および/または過電流が生じたときに IGBTを保護するために、 ADuM4138 には過電流検出が内蔵されています。過電流検出は、故障の場合、2つのレベルの高速ターンオフ機能と結合されています。

ADuM4138 は、ミラー・クランプ電圧の閾値が GND2 を超えて 2V(代表値)を下回ったときに、金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ (MOSFET) 用ミラー・クランプ制御信号を供給し、単一電源で IGBT をオフにします。ミラー・クランプ動作あり/なしでも、ユニポーラの 2 次電源による動作が可能です。

低ゲート電圧検出回路は、ゲート電圧がスイッチを入れた後、許容時間(代表値は12.8 s)内に内部閾値以上に立上がらないとき、 故障をトリガできます。低ゲート電圧検出回路は、ゲートの短絡や他の低駆動の原因を示す IGBT のデバイス故障を検出します。

2 本の温度センサー・ピン、TS1 と TS2 により IGBT でシステム温度の絶縁型モニタリングを実行できます。一般的な IGBT 閾値レベルに従って、2次側の低電圧ロックアウト (UVLO) は 11.2 V(代表値)に設定されています。

デバイスの 1 次側のシリアル・ペリフェラル・インターフェース (SPI) バスは、温度検知ダイオードのフィールドでのプログラミングで、ゲインとオフセットを ADuM4138 に供給します。値はデバイスの 2 次側にある EEPROM(Electronically Erasable Programmable Read Only Memory)に保存されます。さらに、固有 VDD2 電圧、温度検出報告頻度、過電流ブランキング時間がプログラミング可能です。

ADuM4138 は過電流イベント、リモート温度過熱イベント、UVLO、サーマル・シャットダウン (TSD)、非飽和検出の絶縁型故障報告を提供します。

アプリケーション

  • MOSFET および IGBT ゲート・ドライバ
  • 太陽光発電(PV)インバータ
  • モータ駆動
  • 電源

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評価キット (1)

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ツール

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