製品概要

機能と利点

  • 内蔵デュアル・チャンネルRFフロント・エンド
    • 2ステージLNAおよび高出力シリコンSPDTスイッチ
    • オンチップ・バイアス・マッチング
    • 単電源動作
  • ゲイン
    • 高ゲイン・モード:3.6GHzで33dB(代表値)
    • 低ゲイン・モード:3.6GHzで16dB(代表値)
  • 低ノイズ指数
    • 高ゲイン・モード:3.6GHzで1.0dB(代表値)
    • 低ゲイン・モード:3.6GHzで1.0dB(代表値)
  • 高アイソレーション
    • RXOUTチャンネルAおよびRXOUTチャンネルB:45dB(代表値)
    • TERMチャンネルAおよびTERMチャンネルB:60dB(代表値)
  • 低挿入損失:3.6GHzで0.45dB(代表値)
  • TCASE = 105°Cで高出力に対応
    • 寿命全期間
      • 平均LTE出力(9dB PAR):43dBm
    • 高OIP3(高ゲイン・モード):32dBm(代表値)
    • LNA用パワーダウン・モードおよび低ゲイン・モード
    • 低電源電流
      • 高ゲイン・モード:5Vで86mA(代表値)
      • 低ゲイン・モード:5Vで36mA(代表値)
      • パワーダウン・モード:5Vで12mA(代表値)
    • 正ロジック制御
    • 6mm × 6mmの40ピンLFCSPパッケージ
    • ADRF5545A、10Wバージョンとピン互換

製品概要

ADRF5515は、時分割複信(TDD)アプリケーション用に設計された、デュアル・チャンネルの統合型RFフロントエンド・マルチチップ・モジュールです。デバイスは、3.3GHz~4.0GHzで動作します。2段カスケード低LNAおよび高出力シリコンSPDTスイッチを備えたデュアル・チャンネル構成となっています。

高ゲイン・モードでは、2段カスケードLNAおよびスイッチは、低ノイズ指数1.0dB、高ゲイン33dB(3.6GHz時)、3次インターセプト・ポイント(OIP3)32dBm(代表値)となります。低ゲイン・モードでは、2段LNAのうち1段はバイパス内にあり、36mA低電流でのゲインは16dBとなります。パワーダウン・モードでは、LNAはオフとなり、デバイスは12mAの電流を供給します。

送信動作において、RF入力が終端ピンに接続されると(TERMチャンネルAまたはTERMチャンネルB)、スイッチの低挿入損失は0.45dBとなり、ロングターム・エボリューション(LTE)平均電力(ピーク対平均値比(PAR)9dB)は、寿命全期間動作で43dBmとなります。

ADRF5515は、2.4GHz~4.2GHzで動作するADRF5545A(10Wバージョン)とのピン互換性を備えています。

ADRF5515のRFポートには、内部で50Ωに整合しているマッチング部品は必要ありません。ANTポートとTERMポートも内部でACカップリングされています。したがって、レシーバー・ポートにのみ外付けDC阻止コンデンサが必要です。

デバイスは、RoHS準拠、コンパクトな6mm × 6mm、40ピンLFCSPパッケージでのご提供です。 

アプリケーション

  • ワイヤレス・インフラストラクチャ
  • TDD Massive MIMO(Multiple-Input Multiple-Output)およびアクティブ・アンテナ・システム
  • TDDベースの通信システム

製品ライフサイクル icon-recommended 新規設計にお薦めします

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評価キット (1)

ツール

S-Parameters

設計リソース

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モデル一覧の項目説明

 

 

 

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analog.comサイトから購入できるボードは、最大で2枚までとなります。3枚以上の購入をご希望の場合は、正規販売代理店からご購入ください。
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