ADRF5130
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ADRF5130

アナログ・スイッチ、高電力(最大44W)、SPDT、反射型、0.7 GHz ~ 3.5 GHz

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機能
  • 反射型、50 Ω設計
  • 低挿入損失
    • 2.0 GHzまで 0.6 dB (typ)
    • 3.5 GHzまで 0.7 dB (typ)
  • 高いアイソレーション
    • 2.0 GHzまで 50 dB (typ)
    • 3.5 GHzまで 46 dB (typ)
  • 高い電力処理能力
    • RF入力電力、連続波(CW) @TCASE = 85°C
      • 最大動作:43dBm
      • 絶対最大定格:46.5 dBm
  • 高い直線性
    • 0.1 dB圧縮(P0.1dB):46 dBm (typ)
    • 入力3次インターセプト(IP3)
      • 2 GHzまで68 dB (typ)
      • 3.5 GHzまで65 dBm (typ)
  • ESD定格
    • 人体モデル(HBM):2 kV、クラス2
    • 電荷デバイス・モデル(CDM): 1.25 kV
  • 正の単電源:VDD = 5 V
  • 正電圧制御、TTL互換:VCTL = 0 V 又は VDD
  • 24ピン、4 mm × 4 mm LFCSPパッケージ(16 mm2)
製品概要
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ADRF5130は高電力、反射型、0.7 GHz ~ 3.8 GHz、単極双投(SPDT)の アナログ・スイッチでリードレス、表面実装パッケージを採用しています。このスイッチはロング・ターム・エボルーション (LTE)用基地局のような高出力、携帯電話インフラストラクチャのアプリケーションに適しています。

ADRF5130は、43dBm(最大値)の高電力処理機能と46dBmの0.1dB圧縮(P0.1dB)性能を備えると共に、挿入損失は2GHzで0.6dB、3.5GHzで0.7dBと低い値を実現しています。内部回路は正電圧単電源5 Vで動作し、電源電流が1.06 mA(typ)なので、ADRF5130はピン・ダイオードを使用したスイッチに対し理想的な代替となります。

ADRF5130はRoHS準拠、小型24ピン、4 mm × 4 mm LFCSPパッケージを採用しています。

アプリケーション

  • セルラ/4Gインフラストラクチャ
  • ワイヤレス・インフラストラクチャ
  • 防衛/高信頼性アプリケーション
  • テスト装置
  • ピン・ダイオードの代替品

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アナログ・デバイセズ社は、提供する情報が正確で信頼できるものであることを期していますが、その情報の利用に関して、あるいはその利用によって生じる第三者の特許やその他の権利の侵害に関して一切の責任を負いません。また、アナログ・デバイセズ社の特許または特許の権利の使用を明示的または暗示的に許諾するものでもありません。仕様は予告なしに変更する場合があります。本紙記載の商標および登録商標は、各社の所有に属します。


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ドキュメント

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ソフトウェアおよび製品のエコシステム

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評価用キット

評価用キット 1

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EVAL-ADRF5130

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EVAL-ADRF5130

ADRF5130 評価用ボード

ADRF5130 評価用ボード

製品の詳細

ADRF5130―EVALZ は、RO4350 を基本としたフル実装の評価用ボードで、温度管理のために 8 層の素材で構成されています。5 V の単電源を VDD テスト・ポイントに適用し、グラウンド基準を GND テスト・ポイントに接続する必要があります。

スイッチの状態を選択する単一の 0 V/+5 V 制御電圧が VCTL テスト・ポイントに印加されます。RF 入力信号は、RFC と記載されている PC マウント SMA RF コネクタに印加できます。RF 出力信号は、RF1 と RF2 と記載されている PC マウント SMA RF コネクタで測定できます。

ツールおよびシミュレーション

ツールおよびシミュレーション 2

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