ADRF5130

Analog Devices RF and microwave components are available as drop-in X-MWblocks®
from Quantic™ X-Microwave.
ADRF5130
新規設計に推奨アナログ・スイッチ、高電力(最大44W)、SPDT、反射型、0.7 GHz ~ 3.5 GHz
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製品の詳細
- 反射型、50 Ω設計
- 低挿入損失
- 2.0 GHzまで 0.6 dB (typ)
- 3.5 GHzまで 0.7 dB (typ)
- 高いアイソレーション
- 2.0 GHzまで 50 dB (typ)
- 3.5 GHzまで 46 dB (typ)
- 高い電力処理能力
- RF入力電力、連続波(CW) @TCASE = 85°C
- 最大動作:43dBm
- 絶対最大定格:46.5 dBm
- RF入力電力、連続波(CW) @TCASE = 85°C
- 高い直線性
- 0.1 dB圧縮(P0.1dB):46 dBm (typ)
- 入力3次インターセプト(IP3)
- 2 GHzまで68 dB (typ)
- 3.5 GHzまで65 dBm (typ)
- ESD定格
- 人体モデル(HBM):2 kV、クラス2
- 電荷デバイス・モデル(CDM): 1.25 kV
- 正の単電源:VDD = 5 V
- 正電圧制御、TTL互換:VCTL = 0 V 又は VDD
- 24ピン、4 mm × 4 mm LFCSPパッケージ(16 mm2)
ADRF5130は高電力、反射型、0.7 GHz ~ 3.8 GHz、単極双投(SPDT)の アナログ・スイッチでリードレス、表面実装パッケージを採用しています。このスイッチはロング・ターム・エボルーション (LTE)用基地局のような高出力、携帯電話インフラストラクチャのアプリケーションに適しています。
ADRF5130は、43dBm(最大値)の高電力処理機能と46dBmの0.1dB圧縮(P0.1dB)性能を備えると共に、挿入損失は2GHzで0.6dB、3.5GHzで0.7dBと低い値を実現しています。内部回路は正電圧単電源5 Vで動作し、電源電流が1.06 mA(typ)なので、ADRF5130はピン・ダイオードを使用したスイッチに対し理想的な代替となります。
ADRF5130はRoHS準拠、小型24ピン、4 mm × 4 mm LFCSPパッケージを採用しています。
アプリケーション
- セルラ/4Gインフラストラクチャ
- ワイヤレス・インフラストラクチャ
- 防衛/高信頼性アプリケーション
- テスト装置
- ピン・ダイオードの代替品
ドキュメント
データシート 1
デザイン・ノート 1
製品ハイライト 1
ビデオ 2
製品選択ガイド 1
製品ハイライト 1
これは最新改訂バージョンのデータシートです。
ツールおよびシミュレーション
ADIsimRF
アナログ・デバイセズのADIsimRF設計ツールは、カスケード・ゲインやノイズ指数、IP3、P1dB、総合消費電力などRFシグナル・チェーン内の最も重要なパラメータの計算を行います。
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