製品概要

機能と利点

  • SiGe PINフォトダイオード、トランスインピーダンス・アンプ(TIA)、リミット・アンプ(LA)を集積
  • パワーモニタ出力:O帯の波長で1.0 A/W
  • 直径50 μmのゲルマニウム・フォトダイオード
  • 入力感度
    • POMA = −16.5 dBm
    • PAVE = −17.3 dBm (ER = 6 dB)
    • PRBS31@10.52 Gbps、BER = 10−12、λ = 1270 nm、1290 nm、1300 nm、1310 nm、1330 nm
  • 1310 nmに最適化された反射防止コーティング(ARC)
  • 3.3 V単電源
  • 消費電力:102 mW
  • 差動出力振幅:460 mV p-p
  • 電源モニタ機能内蔵
  • チップ・サイズ:0.835 mm × 0.675 mm

製品概要

ADN3010-11は高速オプティカル・レシーバで、シリコンTIA/LAとともに独自のラージエリア・ゲルマニウム・フォトダイオードがモノリシックICとして集積されていることが特長になっています。フォトダイオードの集積化によって、ダイオードとTIA間のワイア接続の必要がなく、保障された性能と改善された製造信頼性が得られます。直径50 μmの光検出器はシングル・モード・ファイバ(SMF)と位置合わせをすれば、光結合の設計が容易になります。ADN3010-11は1310 nmに最適化されたARCがあり、最大11.3 Gbpsの拡張データレートで10GBASE-LRと他のアプリケーションをサポートします。 

ADN3010-11は850 nm~1565 nmの波長レンジで動作しますが、1310 nm中心の反射防止コーティング(ARC)が施されており、このデータシートでは初期の帯域(O帯)の波長(1270 nm、1290 nm、1300 nm、1310 nm、1330 nm)でのみ特性化されています。 

パワー・モニタ・ピンは、検出された平均フォトダイオード電流に比例した電圧出力又は電流を供給します。 

ADN3010-11の標準的消費電力は、3.3 Vの単電源で102 mWです。出力が飽和した時、信号の標準差動振幅は10.52 Gbpsで460 mV p-p(typ)になります。 

ADN3010-11は、ダイ形状で供給され、拡張工業用温度範囲-40°C~+85°Cにわたって動作します。 
 


アプリケーション

  • 最大11.3 Gbpsの光モジュール・レシーバ
  • 狭域10 Gb SONET、 FC、イーサーネット、CPRI、OBSAI、LTEの光レシーバ
  • ROSA、BOSA又はMCMパッケージに収納可能

製品ライフサイクル icon-not-recommended 新規設計には非推奨

新規設計にはお勧めしていません。

設計リソース

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