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特長
- SiGe PINフォトダイオード、トランスインピーダンス・アンプ（TIA）、リミット・アンプ（LA）を集積
- パワーモニタ出力：O帯の波長で1.0 A/W
- 直径50 μmのゲルマニウム・フォトダイオード
- 入力感度
- POMA = −16.5 dBm
- PAVE = −17.3 dBm （ER = 6 dB）
- PRBS31@10.52 Gbps、BER = 10−12、λ = 1270 nm、1290 nm、1300 nm、1310 nm、1330 nm
- 1310 nmに最適化された反射防止コーティング（ARC）
- 3.3 V単電源
- 消費電力：102 mW
- 差動出力振幅：460 mV p-p
- 電源モニタ機能内蔵
- チップ・サイズ：0.835 mm × 0.675 mm
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ADN3010-11は高速オプティカル・レシーバで、シリコンTIA/LAとともに独自のラージエリア・ゲルマニウム・フォトダイオードがモノリシックICとして集積されていることが特長になっています。フォトダイオードの集積化によって、ダイオードとTIA間のワイア接続の必要がなく、保障された性能と改善された製造信頼性が得られます。直径50 μmの光検出器はシングル・モード・ファイバ（SMF）と位置合わせをすれば、光結合の設計が容易になります。ADN3010-11は1310 nmに最適化されたARCがあり、最大11.3 Gbpsの拡張データレートで10GBASE-LRと他のアプリケーションをサポートします。
ADN3010-11は850 nm～1565 nmの波長レンジで動作しますが、1310 nm中心の反射防止コーティング（ARC）が施されており、このデータシートでは初期の帯域（O帯）の波長（1270 nm、1290 nm、1300 nm、1310 nm、1330 nm）でのみ特性化されています。
パワー・モニタ・ピンは、検出された平均フォトダイオード電流に比例した電圧出力又は電流を供給します。
ADN3010-11の標準的消費電力は、3.3 Vの単電源で102 mWです。出力が飽和した時、信号の標準差動振幅は10.52 Gbpsで460 mV p-p（typ）になります。
ADN3010-11は、ダイ形状で供給され、拡張工業用温度範囲-40°C～+85°Cにわたって動作します。
アプリケーション
- 最大11.3 Gbpsの光モジュール・レシーバ
- 狭域10 Gb SONET、 FC、イーサーネット、CPRI、OBSAI、LTEの光レシーバ
- ROSA、BOSA又はMCMパッケージに収納可能
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