製品概要
機能と利点
- P1dB：2GHz～6 GHzで20dBm（代表値）
- PSAT：2GHz～6GHzで20.5dB（代表値）
- ゲイン：6GHz～28GHzで15.5dB（代表値）
- ノイズ指数：2GHz～20GHzで2.5dB（代表値）
- OIP3：2GHz～6GHzで26dB（代表値）
- 電源電圧：5V／53mA
- 50Ωに整合した入出力
-
ADL9006CHIPS
- P1dB：2GHz～14GHzで19dBm（代表値）
- ゲイン：14GHz～22GHzで15.5dB（代表値）
- ノイズ指数：2GHz～14GHzで2.2dB
- 出力IP3：2GHz～14GHzで24dBm（代表値）
- 電源電圧：総電源電流55mAでの電圧5V
- 50Ωに整合した入出力
製品概要
ADL9006は、ガリウムヒ素（GaAs）の擬似格子整合型高電子移動度トランジスタ（pHEMT）で構成されたモノリシック・マイクロ波集積回路（MMIC）の低ノイズ・アンプで、動作範囲は2GHz～28GHzです。このアンプは、15.5dBのゲイン、2.5dBのノイズ指数、26dBmの出力3次インターセプト・ポイント（OIP3）、1dB圧縮（P1dB）ポイントでの20dBmの出力電力を提供する一方、5V電源から必要とする電流は53mAです。ADL9006は、53mAの電源電流（IDD）を生成するのに必要な正の単電源だけで自己バイアスします。
ADL9006アンプの入出力は、内部で50Ωに整合されています。
ADL9006CHIPSADL9006CHIPSは、ガリウム・ヒ素（GaAs）擬似格子整合型高電子移動度トランジスタ（pHEMT）のモノリシック・マイクロ波集積回路（MMIC）低ノイズ・アンプで、動作範囲は2GHz～28GHzです。アンプのゲインは15.5dB、ノイズ指数は2.2dB、出力3次インターセプト・ポイント（IP3）は24dBm、出力飽和電力（PSAT）は20dBm、1dB圧縮での（P1dB）電力出力は19dBとなります。また、総電源電圧5Vで55mAの供給電流（IDD）が必要です。ADL9006CHIPSは、55mAのIDD生成に必要となる正の単電源だけで自己バイアスします。
このアンプの入出力は内部で50Ωに整合しているため、マルチチップ・モジュール（MCM）に容易に組み込むことができます。
アプリケーション
- 試験用計測器
- 防衛および宇宙
- 局部発振器ドライバ・アンプ
- 試験用計測器
- マイクロ波無線および超小型地球局（VSAT）
- 防衛および宇宙
ADL9006CHIPS
製品カテゴリ
マーケット＆テクノロジー
製品ライフサイクル
新規設計にお薦めします
発売済みの製品です。データシートには、最終的な仕様と動作条件がすべて記載されています。新規の設計には、これらの製品の使用を推奨します。
評価キット (1)
参考資料
ツールおよびシミュレーション
設計リソース
アナログ・デバイセズでは、最高レベルの品質と信頼性を備えた製品を提供することに最大の力を常に注いでいます。これを実現するため、製品およびプロセスの設計のあらゆる観点で品質と信頼性のチェックを行っています。そして、それは、製造工程においても同様です。アナログ・デバイセズは常に、出荷製品の「ゼロ・ディフェクト」を目指しています。詳細についてはアナログ・デバイセズの品質および信頼性プログラム/認定証をご覧ください。
| 製品番号 | 材料宣誓書（MD） | 信頼性データ | ピン/パッケージ図 | CADシンボル、フットプリント & 3Dモデル |
|---|---|---|---|---|
| ADL9006ACGZN | 材料宣誓書（MD） | 信頼性データ | 32-Lead LFCSP (5mm x 5mm w/ EP) | |
| ADL9006ACGZN-R7 | 材料宣誓書（MD） | 信頼性データ | 32-Lead LFCSP (5mm x 5mm w/ EP) | |
| ADL9006C-KIT | 材料宣誓書（MD） | 信頼性データ | CHIPS OR DIE | |
| ADL9006CHIPS | 材料宣誓書（MD） | 信頼性データ | CHIPS OR DIE | |
| ウェハ・ファブリケーション・データ |
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