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特長
- P1dB：2GHz～6 GHzで20dBm（代表値）
- PSAT：2GHz～6GHzで20.5dB（代表値）
- ゲイン：6GHz～28GHzで15.5dB（代表値）
- ノイズ指数：2GHz～20GHzで2.5dB（代表値）
- OIP3：2GHz～6GHzで26dB（代表値）
- 電源電圧：5V／53mA
- 50Ωに整合した入出力
-
ADL9006CHIPS
- P1dB：2GHz～14GHzで19dBm（代表値）
- ゲイン：14GHz～22GHzで15.5dB（代表値）
- ノイズ指数：2GHz～14GHzで2.2dB
- 出力IP3：2GHz～14GHzで24dBm（代表値）
- 電源電圧：総電源電流55mAでの電圧5V
- 50Ωに整合した入出力
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ADL9006は、ガリウムヒ素（GaAs）の擬似格子整合型高電子移動度トランジスタ（pHEMT）で構成されたモノリシック・マイクロ波集積回路（MMIC）の低ノイズ・アンプで、動作範囲は2GHz～28GHzです。このアンプは、15.5dBのゲイン、2.5dBのノイズ指数、26dBmの出力3次インターセプト・ポイント（OIP3）、1dB圧縮（P1dB）ポイントでの20dBmの出力電力を提供する一方、5V電源から必要とする電流は53mAです。ADL9006は、53mAの電源電流（IDD）を生成するのに必要な正の単電源だけで自己バイアスします。
ADL9006アンプの入出力は、内部で50Ωに整合されています。
ADL9006CHIPSADL9006CHIPSは、ガリウム・ヒ素（GaAs）擬似格子整合型高電子移動度トランジスタ（pHEMT）のモノリシック・マイクロ波集積回路（MMIC）低ノイズ・アンプで、動作範囲は2GHz～28GHzです。アンプのゲインは15.5dB、ノイズ指数は2.2dB、出力3次インターセプト・ポイント（IP3）は24dBm、出力飽和電力（PSAT）は20dBm、1dB圧縮での（P1dB）電力出力は19dBとなります。また、総電源電圧5Vで55mAの供給電流（IDD）が必要です。ADL9006CHIPSは、55mAのIDD生成に必要となる正の単電源だけで自己バイアスします。
このアンプの入出力は内部で50Ωに整合しているため、マルチチップ・モジュール（MCM）に容易に組み込むことができます。
アプリケーション
- 試験用計測器
- 防衛および宇宙
- 局部発振器ドライバ・アンプ
- 試験用計測器
- マイクロ波無線および超小型地球局（VSAT）
- 防衛および宇宙
ADL9006CHIPS
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よく聞かれる質問（FAQ）
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ADL9006
資料
Filters
1つが該当
-
すべて
-
ユーザ・ガイド
-
データシート
-
すべて
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日本語
データシート
3
ADL9006CHIPS: 2 GHz to 28 GHz, GaAs, pHEMT, MMIC, Low Noise Amplifier Data Sheet (Rev.0)
ADL9006: 2 GHz to 28 GHz, GaAs, pHEMT, MMIC Low Noise Amplifier Data Sheet (Rev.0)
ユーザ・ガイド
1
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本データシートの英語以外の言語への翻訳はユーザの便宜のために提供されるものであり、リビジョンが古い場合があります。最新の内容については、必ず最新の英語版をご参照ください。
なお、日本語版のデータシートは基本的に「Rev.0」（リビジョン0）で作成されています。そのため、英語版が後に改訂され、複数製品のデータシートがひとつに統一された場合、同じ「Rev.0」の日本語版のデータシートが異なる製品のデータシートとして表示されることがあります。たとえば、「ADM3307E」の場合、日本語データシートをクリックすると「ADM3311E」が表示されます。これは、英語版のデータシートが複数の製品で共有できるように1本化され、「ADM3307E/ADM3310E/ADM3311E/ADM3312E/ADM3315E」（Rev.G）と改訂されたからで、決して誤ってリンクが張られているわけではありません。和文化されたデータシートを少しでも有効に活用していただくためにこのような方法をとっておりますので、ご了解ください。
ドキュメント
製品選択ガイド 1
| 製品モデル | ピン／パッケージ図 | 資料 | CADシンボル、フットプリント、および3Dモデル |
|---|---|---|---|
| ADL9006ACGZN |
32-Lead LFCSP (5mm x 5mm w/ EP)
|
|
|
| ADL9006ACGZN-R7 |
32-Lead LFCSP (5mm x 5mm w/ EP)
|
|
|
| ADL9006C-KIT | CHIPS OR DIE |
|
|
| ADL9006CHIPS | CHIPS OR DIE |
|
- ADL9006ACGZN
- ピン／パッケージ図
-
32-Lead LFCSP (5mm x 5mm w/ EP)
- 資料
-
HTML
Material Declaration
-
HTML
Reliablity Data
- CADシンボル、フットプリント、および3Dモデル
-
Ultra Librarian
-
SamacSys
- ADL9006ACGZN-R7
- ピン／パッケージ図
-
32-Lead LFCSP (5mm x 5mm w/ EP)
- 資料
-
HTML
Material Declaration
-
HTML
Reliablity Data
- CADシンボル、フットプリント、および3Dモデル
-
Ultra Librarian
-
SamacSys
- ADL9006C-KIT
- ピン／パッケージ図
- CHIPS OR DIE
- 資料
-
HTML
Material Declaration
-
HTML
Reliablity Data
- CADシンボル、フットプリント、および3Dモデル
-
Ultra Librarian
-
SamacSys
- ADL9006CHIPS
- ピン／パッケージ図
- CHIPS OR DIE
- 資料
-
HTML
Material Declaration
-
HTML
Reliablity Data
- CADシンボル、フットプリント、および3Dモデル
-
Ultra Librarian
-
SamacSys
モデルでフィルタ
製品モデル
製品ライフサイクル
PCN
3 19, 2021
- 20_0308
Epoxy Change at ASE Chungli Branch for PM5E and ACGZN Packages
ADL9006ACGZN
製造中
ADL9006ACGZN-R7
製造中
モデルでフィルタ
製品モデル
製品ライフサイクル
PCN
3 19, 2021
- 20_0308
Epoxy Change at ASE Chungli Branch for PM5E and ACGZN Packages
ADL9006ACGZN
製造中
ADL9006ACGZN-R7
製造中
ソフトウェアおよび製品のエコシステム
評価用キット 1
EVAL-ADL9006
ADL9006-EVALZ評価用ボード
製品の詳細
ADL9006-EVALZは、アルミ製ヒート・シンクに取り付けられた、厚さ10milのRogers 4350、銅被覆を使用した2レイヤ・プリント基板（PCB）で構成されています。ヒート・シンクは、デバイスの熱放散を実現するほか、PCBを機械的に支持します。ヒート・シンクには取り付け穴があるので、温度管理に優れた、より大型のヒート・シンクに取り付けることができます。ADL9006-EVALZのRFINおよびRFOUTポートは、2.9mmメス同軸コネクタで装着されており、それぞれのRFパターンは50Ωの特性インピーダンスを持ちます。ADL9006-EVALZには、ADL9006の動作温度−40°C～+85°Cの全範囲で使用に適したコンポーネントが搭載されています。ボード・パターン損失を修正するため、J5コネクタとJ6コネクタの間にスルー・キャリブレーション・パス（THRU CAL）が用意されています。スルー・キャリブレーション・パスを使用するには、J5およびJ6にRFコネクタを差し込む必要があります。電源電圧、グラウンド電圧、ゲート制御電圧、ディテクタ出力電圧には、2つの4ピン・ヘッダを通じてアクセスします。
RFパターンは、50Ωのグランデッド・コプレータ導波路です。パッケージのグラウンド・ピンと露出パドルは、グラウンド・プレーンに直接接続します。ヒート・シンクへの適切な電気伝導および熱伝導を確保するため、グラウンド・パドル直下の領域に特に焦点を当てて上面と底面のグランド・プレーンが複数のビアを使用して接続されています。
ADL9006-EVALZの電源デカップリング・コンデンサは、デバイスの特性評価に使用される構成を表しています。コンデンサの数を減らすことができますが、減らすことができるコンデンサの数はシステムごとに異なります。コンデンサの数を減らすときは、まずADPA9002から最も遠い最大のコンデンサを取り外すか、組み合わせることをお勧めします。
ADL9006の詳細については、ADL9006のデータシートを参照してください。ADL9006-EVALZを使用する際は、データシートと併せてユーザ・ガイドを参照してください。
資料
評価用キット1
ツールおよびシミュレーション 1
Sパラメータ 2
Sパラメータ
