製品概要

機能と利点

  • P1dB:2GHz~6 GHzで20dBm(代表値)
  • PSAT:2GHz~6GHzで20.5dB(代表値)
  • ゲイン:6GHz~28GHzで15.5dB(代表値)
  • ノイズ指数:2GHz~20GHzで2.5dB(代表値)
  • OIP3:2GHz~6GHzで26dB(代表値)
  • 電源電圧:5V/53mA
  • 50Ωに整合した入出力
    ADL9006CHIPS
  • P1dB:2GHz~14GHzで19dBm(代表値)
  • ゲイン:14GHz~22GHzで15.5dB(代表値)
  • ノイズ指数:2GHz~14GHzで2.2dB
  • 出力IP3:2GHz~14GHzで24dBm(代表値)
  • 電源電圧:総電源電流55mAでの電圧5V
  • 50Ωに整合した入出力

製品概要

ADL9006は、ガリウムヒ素(GaAs)の擬似格子整合型高電子移動度トランジスタ(pHEMT)で構成されたモノリシック・マイクロ波集積回路(MMIC)の低ノイズ・アンプで、動作範囲は2GHz~28GHzです。このアンプは、15.5dBのゲイン、2.5dBのノイズ指数、26dBmの出力3次インターセプト・ポイント(OIP3)、1dB圧縮(P1dB)ポイントでの20dBmの出力電力を提供する一方、5V電源から必要とする電流は53mAです。ADL9006は、53mAの電源電流(IDD)を生成するのに必要な正の単電源だけで自己バイアスします。

ADL9006アンプの入出力は、内部で50Ωに整合されています。

ADL9006CHIPS

ADL9006CHIPSは、ガリウム・ヒ素(GaAs)擬似格子整合型高電子移動度トランジスタ(pHEMT)のモノリシック・マイクロ波集積回路(MMIC)低ノイズ・アンプで、動作範囲は2GHz~28GHzです。アンプのゲインは15.5dB、ノイズ指数は2.2dB、出力3次インターセプト・ポイント(IP3)は24dBm、出力飽和電力(PSAT)は20dBm、1dB圧縮での(P1dB)電力出力は19dBとなります。また、総電源電圧5Vで55mAの供給電流(IDD)が必要です。ADL9006CHIPSは、55mAのIDD生成に必要となる正の単電源だけで自己バイアスします。

このアンプの入出力は内部で50Ωに整合しているため、マルチチップ・モジュール(MCM)に容易に組み込むことができます。

アプリケーション

  • 試験用計測器
  • 防衛および宇宙
  • 局部発振器ドライバ・アンプ


  • ADL9006CHIPS
  • 試験用計測器
  • マイクロ波無線および超小型地球局(VSAT)
  • 防衛および宇宙

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評価キット (1)

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S-Parameters

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