ADL8142S
新規設計に推奨GaAs、pHEMT、MMIC、低ノイズ・アンプ、23GHz～31GHz
- 製品モデル
- 2
- 1Ku当たりの価格
- 最低価格：$83.77
Viewing:
製品情報
- 低ノイズ指数：27GHz～31GHzで1.6dB（代表値）
- 正側（供給）単電源（自己バイアス）
- 高ゲイン：27GHz～31GHzで27dB（代表値）
- 高OIP3：27GHz～31GHzで21.5dBm（代表値）
- RoHS準拠、2mm × 2mm、8ピンLFCSPパッケージ
商用宇宙製品向けの機能
- ウェーハ拡散ロット・トレーサビリティ
- 放射線ロット受け入れ試験（RLAT）
- トータル・ドーズ効果（TID）
- 放射線ベンチマーク
- シングル・イベント・ラッチアップ（SEL）
ADL8142S-CSLは、ガリウム・ヒ素（GaAs）モノリシック・マイクロ波集積回路（MMIC）の擬似格子整合型高電子移動度トランジスタ（pHEMT）低ノイズ広帯域アンプで、動作範囲は23GHz～31GHzです。ADL8142S-CSLは、27GHz～31GHzの範囲で27dBのゲイン、1.6dBのノイズ指数、21.5dBmの出力3次インターセプト（OIP3）（それぞれ代表値）を備え、2V電源電圧から必要とする電流はわずか25mAです。OIP3はドレイン電流を増加することで更に改善できます。ADL8142S-CSLは、ACカップリングされ、内部で50Ωに整合した入出力も備えているため、大容量のマイクロ波無線アプリケーションに最適です。
ADL8142S-CSLは、RoHS準拠の2mm × 2mm、8ピンLFCSPパッケージに収められています。アプリケーションと技術情報の詳細については、商用宇宙製品プログラムのパンフレット、およびADL8142のデータシートを参照してください。
アプリケーション
ドキュメント
データシート 1
アプリケーション・ノート 2
高レベル放射線レポート 1
シングルイベント効果の放射線レポート 1
| 製品モデル | ピン／パッケージ図 | 資料 | CADシンボル、フットプリント、および3Dモデル |
|---|---|---|---|
| ADL8142ACPZN-CSL | 8-lead LFCSP 2 mm × 2 mm × 0.85 | ||
| ADL8142ACPZN-R7-CSL | 8-lead LFCSP 2 mm × 2 mm × 0.85 |
| 製品モデル | 製品ライフサイクル | PCN |
|---|---|---|
|
1 19, 2024 - 23_0146 Process Revision for Select Low Noise Amplifier Products |
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| ADL8142ACPZN-CSL | 製造中 | |
| ADL8142ACPZN-R7-CSL | 製造中 | |
|
9 21, 2022 - 22_0217 Moisture Sensitivity Level Rating Change for ADL8142 |
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| ADL8142ACPZN-CSL | 製造中 | |
| ADL8142ACPZN-R7-CSL | 製造中 | |
これは最新改訂バージョンのデータシートです。