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ADH8410-701LH5 Data Sheet (Rev. A)2/17/2022
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ADH8410S Die Data Sheet (Rev. B)11/5/2019
製品概要
機能と利点
- Low noise figure: 1.1 dB typical
- High gain: 19.5 dB typical
- High output third-order intercept (OIP3): 33 dBm typical
- 50Ω matched DC-coupled I/O
- Die Size 0.95 mm x 0.61 mm x .102 mm
製品概要
The ADH8410S is a gallium arsenide (GaAs), monolithic microwave integrated circuit (MMIC), pseudomorphic high electron mobility transistor (pHEMT), low noise wideband amplifier that operates from 0.01 GHz to 10 GHz. The ADH8410S provides a typical gain of 19.5 dB, a 1.1 dB typical noise figure, and a typical OIP3 of 33 dBm, requiring only 65 mA from a 5 V supply voltage. The saturated output power (PSAT) of up to 22.5 dBm enables the low noise amplifier (LNA) to function as a local oscillator (LO) driver for many of Analog Devices, Inc., balanced, I/Q or image rejection mixers.
The ADH8410S also features inputs/outputs (I/Os) that are internally matched to 50 Ω, making it ideal for integration into multichip modules (MCMs) supporting high reliability RF and microwave applications.
The ADH8410S is housed in a LH5 package or available as die.
APPLICATIONS
- Space Telecom
- Software defined radios
- Electronics warfare
- Radar applications
製品ライフサイクル
新規設計にお薦めします
発売済みの製品です。データシートには、最終的な仕様と動作条件がすべて記載されています。新規の設計には、これらの製品の使用を推奨します。
参考資料
設計リソース
アナログ・デバイセズでは、最高レベルの品質と信頼性を備えた製品を提供することに最大の力を常に注いでいます。これを実現するため、製品およびプロセスの設計のあらゆる観点で品質と信頼性のチェックを行っています。そして、それは、製造工程においても同様です。アナログ・デバイセズは常に、出荷製品の「ゼロ・ディフェクト」を目指しています。詳細についてはアナログ・デバイセズの品質および信頼性プログラム/認定証をご覧ください。
| 製品番号 | 材料宣誓書（MD） | 信頼性データ | ピン/パッケージ図 | CADシンボル、フットプリント & 3Dモデル |
|---|---|---|---|---|
| ADH8410-000C | 材料宣誓書（MD） | 信頼性データ | CHIPS OR DIE | |
| ADH8410-701LH5 | 材料宣誓書（MD） | 信頼性データ | LGA_CAV NO LEAD CAVITY | |
| ウェハ・ファブリケーション・データ |
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