AD8079
製造中オペアンプ、デュアル、ゲイン＝＋2および＋2.2、260MHz、バッファ用
- 製品モデル
- 6
- 1Ku当たりの価格
- 最低価格：$5.61
製品情報
- 出荷時にゲイン設定
- ゲイン 2.2 によりシステム・ゲインロスを補正
- 最小限の外部部品
- 厳密に制御されたゲインとゲイン・マッチング: 0.1%
- 最適なデュアル・ピン配置
- PCB レイアウトの容易さ
- 低クロストーク: -70 dB @ 5 MHz
- 優れたビデオ性能（RL = 150 Ω）
- 0.1 dB ゲイン平坦性: ～ 50 MHz
- 微分ゲイン誤差: 0.01%
- 微分位相誤差: 0.02°
- 低消費電力: 50 mW／1 アンプ（5 mA）
- 高速＆高速セトリング
- -3 dB 帯域幅: 260 MHz
- スルーレート: 750 V/μs @ 2 V ステップ
- 800 V/μs @ 4 V ステップ
- セトリング時間: 40 ns（～0.1% @ 2 V ステップ）
- 低歪み
- THD: -65 dB @ fC = 5 MHz
- 高い出力駆動能力: 70 mA 以上
AD8079は、±5V電源で動作するように設計された低消費電力の高速デュアル・バッファです。新しいピン配列により、従来のデュアル・アンプのピン配置と比べて、優れた入出力アイソレーションを実現しています。入力と出力を分離する2つのACグラウンド・ピンにより、5MHzで－70dB未満の極めて低いクロストークを達成しています。
さらに、工場出荷時にG＝＋2（Aグレード）またはG＝＋2.2（Bグレード）に設定したゲイン設定抵抗を搭載しており、最小限の外付け部品で回路を設定できます。＋2.2のBグレードのゲインは、シングルポイント・トリムを設けることで、システム全体のゲインの損失を補償します。アクティブなレーザ・トリミングを抵抗に使用することで、ゲインの厳密な制御とチャンネル間のゲイン・マッチングを保証します。この性能と形態は、差動ケーブルとトランスの駆動に最適です。また、低歪みと高速セトリングによって、高速デュアルまたは差動のA/Dコンバータのバッファリングにも理想的です。
独自のトランスインピーダンス・リニアライゼーション回路を備えており、アンプ当たりわずか50mWの電力で、0.01％の微分ゲイン誤差と0.02°の微分位相誤差という優れた性能でビデオ負荷を駆動できます。50MHzまでで0.1dBのゲイン平坦度を特長としており、カメラやビデオ・スイッチャなどのプロ用ビデオ・エレクトロニクスに理想的です。
電流消費は、アンプ1個当たり5mA（VS＝±5V）と低く、また70mAを超えるロード電流を供給しながら＋12Vの単電源で動作可能です。このような性能をすべて小型8ピンのSOICパッケージで提供しています。このような特長により、このアンプはサイズと消費電力が重要となるバッテリ駆動のポータブル製品に理想的です。
優れた260MHzの帯域幅と800V/μsのスルーレートにより、±3～±6Vの両電源が必要な多くの汎用高速アプリケーションに最適です。
－40～＋85℃の工業用温度範囲で利用できます。
ドキュメント
データシート 1
アプリケーション・ノート 4
よく聞かれる質問 1
チュートリアル 12
製品選択ガイド 1
| 製品モデル | ピン／パッケージ図 | 資料 | CADシンボル、フットプリント、および3Dモデル |
|---|---|---|---|
| AD8079ARZ | 8-Lead SOIC | ||
| AD8079ARZ-REEL | 8-Lead SOIC | ||
| AD8079ARZ-REEL7 | 8-Lead SOIC | ||
| AD8079BRZ | 8-Lead SOIC | ||
| AD8079BRZ-REEL | 8-Lead SOIC | ||
| AD8079BRZ-REEL7 | 8-Lead SOIC |
| 製品モデル | 製品ライフサイクル | PCN |
|---|---|---|
|
11 13, 2013 - 13_0265 Qualification of ASE Chungli, as an Alternate Assembly Site for Select 8L and 14L SOICN Packages |
||
| AD8079ARZ | 製造中 | |
| AD8079ARZ-REEL | ||
| AD8079ARZ-REEL7 | ||
| AD8079BRZ | ||
| AD8079BRZ-REEL | ||
| AD8079BRZ-REEL7 | 製造中 | |
これは最新改訂バージョンのデータシートです。