HMC8120
新規設計に推奨71 GHz ~ 76 GHz、E バンド可変ゲイン・アンプ
- 製品モデル
- 2
- 1Ku当たりの価格
- 価格は未定
製品の詳細
- ゲイン: 22 dB(代表値)
- 広いゲイン制御範囲: 15 dB(代表値)
- 出力 3 次インターセプト・ポイント(OIP3): 30 dBm(代表値)
- 1 dB 圧縮ポイント(P1dB)の出力電力: 21 dBm(代表値)
- 飽和出力電力(PSAT): 22 dBm(代表値)
- DC電源: 4 V/250 mA
- 外部マッチング不要
- ダイ・サイズ: 3.599 mm x 1.369 mm x 0.05 mm
HMC8120 は、統合型 E バンド・ガリウム・ヒ素(GaAs)擬似格子整合型HEMT(pHEMT)モノリシック・マイクロ波集積回路(MMIC)の可変ゲイン・アンプおよびドライバ・アンプで、動作範囲は 71 GHz ~ 76 GHz です。HMC8120 は、ゲインが最大 22 dB、出力 P1dB が 21 dBm、OIP3 が 30 dBm、PSAT が 22 dBm であり、4 V 電源から 250 mA しか必要としません。2 つのゲイン制御電圧(VCTL1 および VCTL2)が備わっており、最大 15 dB まで可変ゲインを制御できます。HMC8120 は直線性が優れており、E バンド通信および大容量のワイヤレス・バックホール無線システム用に最適化されています。全てのデータは、各ポートに幅 3 mil、厚さ 0.05 mil、長さ 7 mil のリボンを使用し、チップを 50 Ω 試験装置に接続して測定したものです。
アプリケーション
- E バンド通信システム
- 大容量ワイヤレス・バックホール無線システム
- 試験および計測
ドキュメント
データシート 1
技術記事 1
製品選択ガイド 1
製品モデル | ピン/パッケージ図 | 資料 | CADシンボル、フットプリント、および3Dモデル |
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HMC8120 | CHIPS OR DIE | ||
HMC8120-SX | CHIPS OR DIE |
これは最新改訂バージョンのデータシートです。
ツールおよびシミュレーション
ADIsimRF
アナログ・デバイセズのADIsimRF設計ツールは、カスケード・ゲインやノイズ指数、IP3、P1dB、総合消費電力などRFシグナル・チェーン内の最も重要なパラメータの計算を行います。
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