HMC7587
新規設計に推奨E バンド I/Q ダウンコンバータ、81 GHz ~ 86 GHz
- 製品モデル
- 2
- 1Ku当たりの価格
- 価格は未定
製品の詳細
- 変換ゲイン: 10 dB(代表値)
- イメージ除去: 30 dBc(代表値)
- ノイズ指数: 6 dB(代表値)
- 1 dB 圧縮ポイント(P1dB)の入力電力: -10 dBm(代表値)
- 入力 3 次インターセプト・ポイント(IP3): -2 dBm(代表値)
- 入力 2 次インターセプト・ポイント(IP2): 25 dBm(代表値)
- RFIN での 6× LO の 周波数のリーク: -40 dBm(代表値)
- 無線周波数(RF)のリターン損失: 10 dB(代表値)
- 局部発振器(LO)のリターン損失: 20 dB(代表値)
- ダイ・サイズ: 3.599 mm x 2.199 mm x 0.05 mm
HMC7587 は、統合型 E バンド・ガリウム・ヒ素(GaAs)モノリシック・マイクロ波集積回路(MMIC)の同相/直交(I/Q)ダウンコンバータ・チップで、動作範囲は 81 GHz ~ 86 GHz です。HMC7587 は、周波数帯域にわたって 30 dBc のサイドバンド除去比で 10 dB の小信号変換ゲインを実現します。このデバイスは、低ノイズ・アンプとその後段に 6 逓倍器によって駆動されるイメージ除去ミキサーを用いています。
イメージ除去ミキサーにより、低ノイズ・アンプの後に置くフィルタが不要になります。ダイレクト・コンバージョンのアプリケーション用に、差動の I と Q のミキサー出力を備えています。あるいは、単側波帯のアプリケーションを可能にするために、1 つの外部 90°ハイブリッドと 2 つの外部 180°ハイブリッドを使って出力を結合することもできます。全てのデータには、RF ポートの 3 mm 幅のリボン・ウェッジ・ボンドと中間周波数(IF)ポートの 1 mm の金線ウェッジ・ボンドの影響が含まれています。
アプリケーション
- Eバンド通信システム
- 大容量ワイヤレス・バックホール
- 試験および計測
ドキュメント
データシート 1
技術記事 1
製品選択ガイド 1
製品モデル | ピン/パッケージ図 | 資料 | CADシンボル、フットプリント、および3Dモデル |
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HMC7587 | CHIPS OR DIE | ||
HMC7587-SX | CHIPS OR DIE |
これは最新改訂バージョンのデータシートです。
ツールおよびシミュレーション
ADIsimRF
アナログ・デバイセズのADIsimRF設計ツールは、カスケード・ゲインやノイズ指数、IP3、P1dB、総合消費電力などRFシグナル・チェーン内の最も重要なパラメータの計算を行います。
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