HMC7586
新規設計に推奨71 GHz ~ 76 GHz、E バンド I/Q ダウンコンバータ
- 製品モデル
- 2
- 1Ku当たりの価格
- 価格は未定
製品の詳細
- 変換ゲイン: 12.5 dB(代表値)
- イメージ除去: 28 dBc(代表値)
- ノイズ指数: 5 dB(代表値)
- 1 dB 圧縮ポイント(P1dB)の入力電力: -9 dBm(代表値)
- 入力 3 次インターセプト・ポイント(IP3): -1 dBm(代表値)
- 入力 2 次インターセプト・ポイント(IP2): 20 dBm(代表値)
- RFIN での局部発振器(LO)の 6 倍の周波数のリーク: -40 dBm(代表値)
- IFOUT での LO の 周波数のリーク: -50 dBm(代表値)
- 無線周波数(RF)のリターン損失: 5 dB(代表値)
- LO リターン損失: 20 dB(代表値)
- ダイ・サイズ: 3.599 mm x 2.199 mm x 0.05 mm
HMC7586 は、統合型 E バンド・ガリウム・ヒ素(GaAs)モノリシック・マイクロ波集積回路(MMIC)の同相/直交(I/Q)ダウンコンバータ・チップで、動作範囲は 71 GHz ~ 76 GHz です。HMC7586 は、周波数帯域にわたって 28 dBc のイメージ除去比で 12.5 dB の小信号変換ゲインを実現します。このデバイスは、低ノイズ・アンプとその後段に LO の 6 倍の逓倍器によって駆動されるイメージ除去ミキサーを用いています。
イメージ除去ミキサーにより、低ノイズ・アンプの後に置くフィルタが不要になります。ダイレクト・コンバージョンのアプリケーション用に、差動の I と Q のミキサー出力を備えています。あるいは、単側波帯のアプリケーション用に、1 つの外部 90°ハイブリッドと 2 つの外部 180°ハイブリッドを使って出力を結合することもできます。全てのデータには、IF ポートの 1 mil の金線ウェッジ・ボンドの影響が含まれています。
アプリケーション
- E バンド通信システム
- 大容量ワイヤレス・バックホール
- 試験および計測
ドキュメント
データシート 1
技術記事 1
製品選択ガイド 1
製品モデル | ピン/パッケージ図 | 資料 | CADシンボル、フットプリント、および3Dモデル |
---|---|---|---|
HMC7586 | CHIPS OR DIE | ||
HMC7586-SX | CHIPS OR DIE |
これは最新改訂バージョンのデータシートです。
ツールおよびシミュレーション
ADIsimRF
アナログ・デバイセズのADIsimRF設計ツールは、カスケード・ゲインやノイズ指数、IP3、P1dB、総合消費電力などRFシグナル・チェーン内の最も重要なパラメータの計算を行います。
ツールを開く