HMC619
HMC619 / HMC619LP5
Power Amplifier Chip or SMT, DC to 10 GHz製品情報
- P1dB output power: ±27 dBm, ±28 dBm
- Gain: 11 dB, 12.8 dB
- Output IP3: +37 dBm
- Supply voltage: +12 V at 300 mA
- 50 Ω matched input/output
- Die size: 3.12 × 1.50 × 0.1 mm
- 32-lead, 5 × 5 mm, surface-mount technology (SMT) package
The HMC619 devices are GaAs, monolithic microwave integrated circuit (MMIC), and PHEMT distributed power amplifier die which operate between dc and 10 GHz. These amplifiers provide 11 dB or 12.8 dB of gain, ±37 dBm output IP3, and 27 dBm or 28 dBm of output power at 1 dB gain compression, while requiring 300 mA from a +12 V supply. Gain flatness is excellent at ±0.4 dB or ±0.5 dB from dc to 10GHz, making the HMC619 devices ideal for EW, ECM, radar, and test equipment applications. The HMC619 devices inputs/outputs are internally matched to 50 Ω, facilitating integration into multichip modules (MCMs). All chip data is taken with the chip connected via two 0.025 mm (1 mil) wire bonds of minimal 0.31 mm (12 mils) length.
Applications
- Telecom infrastructure
- Microwave radio and VSAT
- Military and space
- Test instrumentation
- Fiber optics
ドキュメント
データシート 1
アプリケーション・ノート 1
製造中止品のデータシート 1
品質関連資料 3
テープ＆リール仕様 1
これは最新改訂バージョンのデータシートです。
ソフトウェア・リソース
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| 製品モデル | 製品ライフサイクル | 詳細 |
|---|---|---|
| HMC637ALP5E | GaAs pHEMT MMIC 1 W パワー・アンプ、0.1 GHz ～ 6 GHz | |
| HMC637A-Die | GaAs MMIC 1 W パワー・アンプ、DC ～ 6 GHz |
ツールおよびシミュレーション
評価用キット
HMC619LP5 Evaluation Board