ADRF5050
新規設計に推奨無反射型シリコンSP4Tスイッチ、100MHz~20GHz
- 製品モデル
- 4
- 1Ku当たりの価格
- 最低価格:$33.36
製品情報
- 広帯域周波数範囲:100MHz~20GHz
- 50Ωのオンチップ終端を備えた無反射型設計
- 低挿入損失
- 6GHzまで0.9dB(代表値)
- 12GHzまで1.0dB(代表値)
- 20GHzまで1.20dB(代表値)
- 高アイソレーション
- 6GHzまで54dB(代表値)
- 12GHzまで50dB(代表値)
- 20GHzまで47dB(代表値)
- 高直線性
- P0.1dB:34dBm(代表値)
- IP3:55dBm(代表値)
- 大RF電力処理
- スルー・パス:20GHzまで33dBm
- 終端パス:20GHzまで18dBm
- オンとオフのスイッチング時間:55ns
- 0.1dBセトリング・タイム:80ns
- オール・オフ状態コントロール
- ロジック・セレクト制御
- 定格電力処理による単電源動作
- 低周波スプリアスなし、内部電圧生成なし
- 24端子、3 mm × 3 mm、ランド・グリッド・アレイ(LGA)パッケージ
- ADRF5042およびADRF5043とピン互換
ADRF5050はシリコン・オン・インシュレータ(SOI)プロセスで製造された無反射型SP4Tスイッチです。
ADRF5050は、100MHz~20GHzで動作し、挿入損失は1.2dB未満、アイソレーションは47dBを上回ります。このデバイスのRF入力電力処理能力は、スルー・パスで33dBm、終端パスで18dBm、RF共通(RFC)ポートのホット・スイッチングで30dBmです。
ADRF5050は、+3.3Vおよび−3.3Vの両電源電圧で動作します。また、負電源ピン(VSS)をグラウンドに接続し、単電源電圧(VDD)を印加する場合も動作します。この動作状態では、スイッチング特性、直線性、および電力処理性能はディレーティングされますが、小信号性能は維持されます(表2を参照)。
ADRF5050の制御は、相補型金属酸化膜半導体(CMOS)および低電圧トランジスタ-トランジスタ・ロジック(LVTTL)に対応しています。
このデバイスには、イネーブル(EN)制御とロジック・セレクト(LS)制御が備わっています。ENピンをハイにするとオール・オフ状態になり、LSピンをハイにすると投ポート選択ロジックが反転するので、バックツーバック・アプリケーションに容易に使用できます。動作原理のセクションの表7、およびバックツーバック・アプリケーションのセクションを参照してください。
ADRF5050は、ADRF5042およびADRF5043とピン互換です。
ADRF5050は、24端子、3mm × 3mm、RoHS準拠、ランド・グリッド・アレイ(LGA)パッケージで提供され、−40°C~+105°Cで動作可能です。
アプリケーション
ドキュメント
データシート 2
ユーザ・ガイド 1
アプリケーション・ノート 1
| 製品モデル | ピン/パッケージ図 | 資料 | CADシンボル、フットプリント、および3Dモデル |
|---|---|---|---|
| ADRF5050BCCZ-CSL | LGA | ||
| ADRF5050BCCZ-CSLR7 | LGA | ||
| ADRF5050BCCZN | 24-Terminal Land Grid Array [LGA] | ||
| ADRF5050BCCZN-R7 | 24-Terminal Land Grid Array [LGA] |
これは最新改訂バージョンのデータシートです。