ADRF5022

新規設計に推奨

シリコンSPDTスイッチ、無反射型、100MHz~45GHz

利用上の注意

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製品情報

  • 超広帯域周波数範囲:100MHz~45GHz
  • 無反射型設計
  • 低挿入損失
    • 18GHzで1.2dB(代表値)
    • 40GHzで1.9dB(代表値)
    • 45GHzで2.3dB(代表値)
  • 高アイソレーション:45GHzで43dB(代表値)
  • 高入力直線性
    • 0.1dB電力圧縮ポイント(P0.1dB):31dBm
    • 3次インターセプト・ポイント(IP3):55dBm
  • TCASE = 85°Cで高出力に対応
    • スルー・パス:30dBm
    • 終端パス:24dBm
    • ホット・スイッチング(RFCポート):30dBm
  • RFのセトリング・タイム(0.1dBの最終RF出力まで):30ns
  • 低周波数スプリアス・シグナルなし
  • オール・オフ状態コントロール
  • 正電圧制御インターフェース:CMOS/LVTTL互換
  • 20端子、3.0mm × 3.0mm LGAパッケージ
  • 低周波数カットオフ・バージョンADRF5023とのピン互換性

ADRF5022は、シリコン・プロセスで製造された無反射型単極双投(SPDT)スイッチです。

2.3dBの挿入損失(代表値)および43dBのアイソレーション(代表値)において、100MHz~45GHzで動作します。このデバイスのRF入力電力処理機能は、スルー・パスが30dBm、終端パスが24dBm、RF共通ポートのホット・スイッチングが30dBmです。

ADRF5022は+3.3Vの正電源と−3.3Vの負電源を必要とし、相補型金属酸化膜半導体(CMOS)互換/低電圧トランジスタ-トランジスタ・ロジック(LVTTL)互換の制御を使用します。

ADRF5022は、負電源電圧(VSS)をグラウンドに接続し、正側(供給)単電源電圧(VDD)を印加する場合も動作します。この動作状態では、スイッチング特性、直線性、および電力処理性能はディレーティングされますが、小信号性能は維持されます。詳細については、データシートの表2を参照してください。

ADRF5022は、9kHz~45GHzで動作するADRF5023(低周波カットオフ・バージョン)とのピン互換性を備えています。

ADRF5022は、20端子、3.0mm × 3.0mmのRoHS準拠ランド・グリッド・アレイ(LGA)パッケージで提供され、 −40°C~+105°Cで動作可能です。

アプリケーション

  • 試験および計測器
  • セルラ・インフラストラクチャ:5G用ミリ波
  • 防衛用無線、レーダー、電子対抗手段(ECM)
  • マイクロ波無線および超小型地球局(VSAT)
  • 工業用スキャナ
  • ADRF5022
    シリコンSPDTスイッチ、無反射型、100MHz~45GHz
    ADRF5022 Functional Block Diagram ADRF5022 Pin Configuration ADRF5022 - Chip Image
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    評価用キット

    eval board
    EVAL-ADRF5022

    ADRF5022(100MHz~45GHzの無反射型シリコンSPDTスイッチ)の性能評価

    機能と利点

    • ADRF5022のフル機能評価用ボード
    • 試験装置への容易な接続
    • キャリブレーション用のスルー・ライン

    製品詳細

    ADRF5022は、シリコン・プロセスで製造された単極双投(SPDT)スイッチです。

    このユーザ・ガイドでは、ADRF5022の機能と性能を評価できるように設計されたADRF5022-EVALZ評価用ボードについて説明します。ユーザ・ガイドの図1に、この評価用ボードの写真を示します。

    ADRF5022の完全な仕様は、アナログ・デバイセズから入手できるADRF5022のデータシートに記載されています。ADRF5022-EVALZ評価用ボードを使用する際は、ユーザ・ガイドと併せてADRF5022のデータシートを参照してください。

    EVAL-ADRF5022
    ADRF5022(100MHz~45GHzの無反射型シリコンSPDTスイッチ)の性能評価
    ADRF5023 Evaluation Board - Angle ADRF5023 Evaluation Board - Top ADRF5023 Evaluation Board - Bottom

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