DS3045W
过期3.3V、单芯片、1Mb非易失SRAM，带有时钟
DS3045W 3.3V单芯片1M非易失SRAM，集成RTC
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概述
- 单片、可回流焊、27mm x 27mm BGA封装
- 内置锂锰电池和充电器
- 集成实时时钟
- VCC超出容限时将无条件写保护时钟和SRAM
- VCC电源失效后自动切换至电池供电
- 复位输出可用作CPU监控器
- 中断输出可用作CPU看门狗定时器
- 工业级温度范围(-40°C至+85°C)
DS3045W由静态RAM、非易失(NV)控制器、2000年兼容的实时时钟(RTC)和可充电锂锰(ML)电池组成。这些组件封装在一个表面贴装的256焊球BGA模块中。VCC加在模块上时，对ML电池进行充电，同时为时钟和SRAM供电，此时允许修改时钟寄存器和SRAM的内容。一旦VCC掉电或超出容限范围，控制器将对存储器内容加以写保护，并由电池为时钟和SRAM供电。DS3045W还带有一个电源监视器输出(/RST)和一个用户可编程的中断输出(/IRQ/FT)。
应用
- 数据采集系统
- 烟雾报警器
- 游戏机
- 工业控制器
- PLC
- POS终端
- RAID系统和服务器
- 路由器/交换机
参考资料
这是最新版本的数据手册
硬件生态系统
| 部分模型 | 产品周期 | 描述 |
|---|---|---|
| 存储器和数据记录器 9 | ||
| DS2030L | 过期 | 3.3V、单芯片、256kb非易失SRAM |
| DS2030W | 过期 | 3.3V、单芯片、256kb非易失SRAM |
| DS2045L | 过期 | 3.3V、单芯片、1Mb非易失SRAM |
| DS2045W | 过期 | 3.3V、单芯片、1Mb非易失SRAM |
| DS2050W | 过期 | 3.3V、单芯片、4Mb非易失SRAM |
| DS2065W | 过期 | 3.3V、单芯片、8Mb非易失SRAM |
| DS3050W | 过期 | 3.3V、单芯片、4Mb非易失SRAM，带有时钟 |
| DS3065W | 过期 | 3.3V、单芯片、8Mb非易失SRAM，带有时钟 |
| DS3030W | 过期 | 3.3V、单芯片、256kb非易失SRAM，带有时钟 |
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