DS3045W

3.3V、单芯片、1Mb非易失SRAM，带有时钟

DS3045W 3.3V单芯片1M非易失SRAM，集成RTC

数据手册 (Rev. 2)
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概述

  • 单片、可回流焊、27mm x 27mm BGA封装
  • 内置锂锰电池和充电器
  • 集成实时时钟
  • VCC超出容限时将无条件写保护时钟和SRAM
  • VCC电源失效后自动切换至电池供电
  • 复位输出可用作CPU监控器
  • 中断输出可用作CPU看门狗定时器
  • 工业级温度范围(-40°C至+85°C)

DS3045W由静态RAM、非易失(NV)控制器、2000年兼容的实时时钟(RTC)和可充电锂锰(ML)电池组成。这些组件封装在一个表面贴装的256焊球BGA模块中。VCC加在模块上时，对ML电池进行充电，同时为时钟和SRAM供电，此时允许修改时钟寄存器和SRAM的内容。一旦VCC掉电或超出容限范围，控制器将对存储器内容加以写保护，并由电池为时钟和SRAM供电。DS3045W还带有一个电源监视器输出(/RST)和一个用户可编程的中断输出(/IRQ/FT)。

应用

  • 数据采集系统
  • 烟雾报警器
  • 游戏机
  • 工业控制器
  • PLC
  • POS终端
  • RAID系统和服务器
  • 路由器/交换机
DS3045W
3.3V、单芯片、1Mb非易失SRAM，带有时钟
DS3045W：典型工作电路
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